Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Влияние особенностей гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/(Al)GaAs, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии, на спектр излучения одномодовых лазерных диодов
Квантовая электроника, 32:3 (2002), 216–218
-
Электроннолучевая трубка с полупроводниковой мишенью – сканирующий лазер с электронной накачкой
Квантовая электроника, 1972, № 3(9), 110–112
-
Поправка к статье: Влияние особенностей гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/(Al)GaAs, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии, на спектр излучения одномодовых лазерных диодов
Квантовая электроника, 32:6 (2002), 564
© , 2024