|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Моделирование реакции сверхвысокочастотного низкобарьерного неохлаждаемого диода Мотта на воздействие тяжелых заряженных частиц космического пространства и фемтосекундных лазерных импульсов
Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021), 743–747
-
Моделирование реакции низкобарьерного диода Мотта на воздействие тяжелых заряженных частиц космического пространства
Письма в ЖТФ, 47:6 (2021), 51–54
-
Микроволновая вольт-импедансная спектроскопия полупроводников
ЖТФ, 90:11 (2020), 1944–1950
-
Вертикальный полевой транзистор с управляющим $p$–$n$-переходом на основе GaAs
Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1311–1314
-
Детекторы на основе низкобарьерных диодов Мотта и их характеристики в диапазоне 150–250 GHz
Письма в ЖТФ, 45:5 (2019), 56–58
-
Влияние высоты барьера затвор–канал на характеристики детектирования полевого транзистора в сверхвысокочастотном и терагерцовом диапазонах
ЖТФ, 87:5 (2017), 746–753
-
Низкоэнергетическая фотолюминесценция структур с GeSi/Si(001) самоорганизующимися наноостровками
Письма в ЖЭТФ, 76:6 (2002), 425–429
-
Наблюдение лазерно-индуцированных локальных модификаций магнитного порядка в слоях переходных металлов
Письма в ЖЭТФ, 73:4 (2001), 214–219
-
Когерентное воздействие на поверхность четырех пучков излучения XeCl-лазера
Квантовая электроника, 30:4 (2000), 333–336
© , 2024