Никитин Василий Васильевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Согласование полоскового инжекционного лазера с внешним резонатором
   
   Квантовая электроника, 17:6 (1990),  781–786
2. Непрерывный перестраиваемый лазер на ЦО в режиме генерации двух соседних продольных мод
   
   Квантовая электроника, 16:10 (1989),  2031–2033
3. Формирование узкого скоростного распределения атомного пучка цезия резонансным излучением инжекционного лазера
   
   Квантовая электроника, 16:7 (1989),  1507–1510
4. Селективное отражение от границы стекло – газ при больших углах падения света
   
   Квантовая электроника, 16:3 (1989),  631–637
5. Стабилизация частоты высококогерентного инжекционного лазера по внутридоплеровским резонансам насыщенного поглощения
   
   Квантовая электроника, 15:10 (1988),  1945–1946
6. Новые возможности получения холодных атомов и молекул
   
   Квантовая электроника, 14:7 (1987),  1445–1449
7. Транспортируемый оптический стандарт частоты и результаты его метрологических испытаний
   
   Квантовая электроника, 14:4 (1987),  866–868
8. Аномально большая непрерывная перестройка частоты генерации инжекционного лазера с внешним селективным резонатором
   
   Квантовая электроника, 13:7 (1986),  1391–1400
9. Эффективный метод плавной перестройки частоты инжекционного лазера с внешним дисперсионным резонатором
   
   Письма в ЖТФ, 11:13 (1985),  777–780
10. Контраст лазерных импульсов, формируемых электрооптическими дефлекторами
    
    Квантовая электроника, 12:2 (1985),  372–375
11. Исследование изменения угловой расходимости излучения гелий-неонового лазера (λ = 3,39 мкм) от дисперсионной характеристики активной среды
    
    Квантовая электроника, 11:8 (1984),  1692–1694
12. Двухмодовые газовые лазеры и их применения в спектроскопии и оптических стандартах частоты (обзор)
    
    Квантовая электроника, 11:6 (1984),  1084–1105
13. Наблюдение эффекта отдачи по резонансам насыщенной дисперсии в метане
    
    Квантовая электроника, 11:4 (1984),  648–652
14. Стабилизация частоты инжекционного полупроводникового лазера по внешнему конфокальному интерферометру
    
    Квантовая электроника, 10:9 (1983),  1888–1889
15. Гетеродинное измерение ширины линии генерации инжекционных лазеров в режиме стабилизации частоты биений
    
    Квантовая электроника, 10:8 (1983),  1527–1529
16. Методы сужения линии генерации инжекционного лазера
    
    Квантовая электроника, 10:6 (1983),  1232–1243
17. Стабилизация частоты двухмодового Не–Ne-лазера по компонентам магнитной сверхтонкой структуры F²₍₂₎-линии метана (λ = 3,39 мкм)
    
    Квантовая электроника, 10:4 (1983),  702–708
18. Синтез частоты D₂O-лазера (λ = 84 мкм) с помощью сверхпроводящего нелинейного элемента
    
    Квантовая электроника, 10:3 (1983),  574–579
19. Исследование конкуренции мод в He–Ne/CH₄-лазере с независимым изменением межмодового расстояния и пространственного сдвига
    
    Квантовая электроника, 9:6 (1982),  1172–1179
20. Влияние аксиального магнитного поля на сдвиги частоты в двухмодовом He–Ne/CH₄-лазере
    
    Квантовая электроника, 9:5 (1982),  1016–1023
21. Стабилизация частоты инжекционного лазера с внешним резонатором
    
    Квантовая электроника, 9:4 (1982),  804–806
22. Асимметрия некоторых характеристик перестраиваемых инжекционных лазеров с внешним резонатором
    
    Квантовая электроника, 8:9 (1981),  1925–1934
23. Внутридоплеровские резонансы D₂-линии цезия в контуре селективного зеркального отражения
    
    Квантовая электроника, 8:9 (1981),  1867–1872
24. Внутридоплеровская спектроскопия $D$-линий калия с помощью инжекционного полупроводникового лазера с внешним резонатором
    
    Квантовая электроника, 7:10 (1980),  2145–2150
25. Исследование поляризации излучения одноканальных инжекционных лазеров
    
    Квантовая электроника, 6:8 (1979),  1789–1792
26. Исследование высокочастотных свойств сверхпроводящих точечных контактов в дальней ИК области спектра
    
    Квантовая электроника, 6:8 (1979),  1718–1729
27. Спектроскопические исследования резонансов мощности кольцевого He–Ne/CH₄-лазера
    
    Квантовая электроника, 6:7 (1979),  1500–1506
28. Влияние ширины активной области инжекционных полупроводниковых лазеров на основе GaAs на одночастотный режим генерации
    
    Квантовая электроника, 6:4 (1979),  797–802
29. Исследование стабильности и сдвигов частоты He–Ne/CH₄-лазера в двухмодовом режиме
    
    Квантовая электроника, 6:1 (1979),  63–71
30. Умножение частот в области 10$^{10}$ – 10$^{13}$ Гц с помощью сверхпроводящих слабых связей
    
    УФН, 128:4 (1979),  721–722
31. Полупроводниковый лазер с внешним селективным зеркалом на парах ¹³³Cs
    
    Квантовая электроника, 5:7 (1978),  1465–1470
32. Умножение частоты с помощью сверхпроводящих элементов со слабой связью
    
    Квантовая электроника, 5:2 (1978),  371–380
33. Излучательные характеристики одноканального инжекционного лазера на основе GaAs
    
    Квантовая электроника, 5:1 (1978),  211–214
34. Запись фурье-голограмм излучением импульсных полупроводниковых лазеров
    
    Квантовая электроника, 4:8 (1977),  1666–1672
35. Безлинзовая реконструкция Фурье-голограмм излучением инжекционных лазеров
    
    Квантовая электроника, 4:5 (1977),  1141–1143
36. Исследование диэлектрического волновода с изменяемым скачком показателя преломления на границе
    
    Квантовая электроника, 3:2 (1976),  448–450
37. Исследование ширины линии излучения инжекционного лазера в сильном и слабом полях
    
    Квантовая электроника, 3:1 (1976),  222–223
38. Регистрация цилиндрических магнитных доменов излучением инжекционных лазеров
    
    Квантовая электроника, 1:11 (1974),  2470–2474
39. Отклоняющее устройство на основе жидких кристаллов
    
    Квантовая электроника, 1:5 (1974),  1253–1255
40. Голографическое запоминающее устройство для настройки однородных сред
    
    Квантовая электроника, 1:5 (1974),  1250–1253
41. О воспроизводимости частоты кольцевого газового лазера с нелинейным поглощением
    
    Квантовая электроника, 1:5 (1974),  1089–1098
42. Использование полупроводникового инжекционного лазера для определения временных характеристик скоростных фотоумножителей
    
    Квантовая электроника, 1:2 (1974),  420–422
43. О возможности записи фурье-голограмм с информационной плотностью порядка 10⁷ бит/мм²
    
    Квантовая электроника, 1:2 (1974),  302–308
44. Моноимпульсная голография на инжекционных лазерах
    
    Квантовая электроника, 1:1 (1974),  217–219
45. Временные характеристики в лазерах с двойным гетеропереходом
    
    Квантовая электроника, 1:1 (1974),  191–193
46. Оптическая оперативная память на инжекционных лазерах
    
    Квантовая электроника, 1:1 (1974),  78–83
47. Влияние параметров инжекционных лазеров на восстановление фазовых голограмм
    
    Квантовая электроника, 1:1 (1974),  7–13
48. К вопросу о воспроизводимости частоты стабилизированного лазера с кольцевым резонатором
    
    Докл. АН СССР, 210:2 (1973),  306–308
49. Одноканальный инжекционный лазер с областью свечения в несколько микрон
    
    Квантовая электроника, 1973, № 6(18),  117–119
50. Переключение в структуре фотополупроводник – ориентированная пленка жидкого кристалла
    
    Квантовая электроника, 1973, № 1(13),  130–132
51. Электрооптическое переключение в ориентированных пленках жидких кристаллов
    
    Квантовая электроника, 1973, № 1(13),  127–130
52. Спектроскопия внутри однородной (радиационной) линии
    
    Докл. АН СССР, 207:6 (1972),  1306–1307
53. Запоминающая система металл – диэлектрик – полупроводник – диэлектрик – металл с записью и считыванием лучом света
    
    Квантовая электроника, 1972, № 5(11),  58–62
54. Сокращение времени переключения оптического транспаранта на жидком кристалле
    
    Квантовая электроника, 1972, № 3(9),  81–83
55. Управляемый транспарант на жидком кристалле для записи голограмм
    
    Квантовая электроника, 1972, № 3(9),  79–81
56. Коммутирующее устройство на инжекционном ПКГ
    
    Квантовая электроника, 1972, № 7,  92–94
57. Прохождение импульсов света через двухкомпонентную полупроводниковую среду
    
    Квантовая электроника, 1972, № 7,  89–92
58. Считывание голограмм с помощью инжекционного полупроводникового лазера
    
    Квантовая электроника, 1971, № 6,  115–116
59. Усиление фотосигнала в структурах металл – диэлектрик – полупроводник – диэлектрик – металл
    
    Квантовая электроника, 1971, № 6,  113–114
60. Временные характеристики инжекционных лазеров на основе гетероструктур
    
    Квантовая электроника, 1971, № 6,  110–112
61. Сканирующее устройство на основе инжекционных лазеров
    
    Квантовая электроника, 1971, № 5,  101–102
62. Влияние пульсаций интенсивности излучения инжекционного лазера на спектр его генерации
    
    Квантовая электроника, 1971, № 4,  99–103
63. Лазерный оптрон
    
    Квантовая электроника, 1971, № 3,  23–28
64. Оптическое взаимодействие инжекционных лазеров при неоднородном возбуждении
    
    Квантовая электроника, 1971, № 2,  25–31
65. Резонансы мощности и стабилизация частоты газового лазера с нелинейно поглощающей ячейкой
    
    Квантовая электроника, 1971, № 1,  42–52
66. Динамика излучения инжекционных полупроводниковых лазеров
    
    УФН, 97:4 (1969),  561–600


67. Памяти Николая Геннадиевича Басова
    
    Квантовая электроника, 31:8 (2001),  751
68. Поправки к статье: О воспроизводимости частоты кольцевого газового лазера с нелинейным поглощением
    
    Квантовая электроника, 2:1 (1975),  226