Овчинников А В

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Совершенствование процесса заращивания и получение одномодовых зарощенных InGaAsP/InP-лазеров ($\lambda=1.3$ мкм) с мощностью излучения 160 мВт
   
   Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1414–1418
2. Экспериментальное и теоретическое исследование особенностей пороговых и мощностных характеристик РО ДГС InGaAsP/InP-лазеров (${\lambda=1.3}$ мкм)
   
   Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991),  928–933
3. Зарощенные одномодовые непрерывные InGaAsP/InP лазеры раздельного ограничения (${\lambda=1.3}$ мкм)
   
   Письма в ЖТФ, 17:6 (1991),  17–21
4. Прямая амплитудная модуляция излучения ДГС (InGA)AsP/InP-лазеров (λ = 1,3 мкм) с раздельным ограничением
   
   Квантовая электроника, 18:3 (1991),  281–286
5. Оптический модуль на базе квантоворазмерного InGaAsP/InP лазера ваттного диапазона ($\lambda=1.3$ мкм)
   
   Письма в ЖТФ, 16:21 (1990),  35–41
6. Зависимость пороговой плотности тока и дифференциальной квантовой эффективности РО ДГС InGaAsP/InP ($\lambda=1.3$ мкм) лазеров от потерь на выход
   
   Письма в ЖТФ, 16:9 (1990),  50–54
7. Распределение полей излучения и пространственная когерентность в ДГС-InGaAsP/InP-лазерах (λ = 1,3 мкм) с раздельным ограничением
   
   Квантовая электроника, 17:1 (1990),  14–16
8. Влияние внутренних потоков в расплаве при росте эпитаксиальных слоев на движущуюся подложку
   
   ЖТФ, 59:1 (1989),  92–97
9. Источник пикосекундных импульсов для высокоскоростной солитонной системы передачи информации
   
   Письма в ЖТФ, 15:9 (1989),  25–29
10. Мезаполосковые InGaAsP/InP ($\lambda=1.3$ мкм) квантоворазмерные лазеры раздельного ограничения ($J_{nop}=380\,\text{А/см}^{2}$, $P=0.5$ Вт, $T=18^{\circ}$C)
    
    Письма в ЖТФ, 14:3 (1988),  241–246
11. Зарощенные непрерывные InGaAsP/InP ($\lambda=1.3$ мкм) лазеры раздельного ограничения ($J=360\,\text{А/см}^{2}$, $P=360$ мВт, $T= 18^{\circ}$С)
    
    Письма в ЖТФ, 14:2 (1988),  99–104
12. Исследование срока службы непрерывных мезаполосковых InGaAsP/InP (${\lambda=1.3}$ мкм лазеров раздельного ограничения
    
    ЖТФ, 57:9 (1987),  1822–1824
13. Квантово-размерные InGaAsP/InP РО ДГ лазеры с ${\lambda=1.3}$ мкм (${J_{\text{п}}=410\,\text{А/см}^{2}}$, ${T=23^{\circ}}$С)
    
    Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987),  824–829
14. Квантово-размерные эффекты в спектрах люминесценции жидкофазных InGaAsP/InP-гетероструктур с толщиной активной области 230$-$60 Å
    
    Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  437–441
15. Непрерывный $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ ($\lambda=1.3$ мкм) лазер раздельного ограничения с мощностью 270 мВт ($T=20^{\circ}$C, $I=900$ мА, внешнее диэлектрическое зеркало)
    
    Письма в ЖТФ, 13:9 (1987),  552–557
16. Мощные $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ РО лазеры для ВОЛС ($\lambda=1,55$ мкм; $T=300$ K; $P=50$ мВт)
    
    Письма в ЖТФ, 13:9 (1987),  535–537
17. Непрерывные мезаполосковые $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ РО ДГ лазеры с $\lambda=1.3$ мкм. Снижение порогов, повышение мощности
    
    Письма в ЖТФ, 12:11 (1986),  660–663
18. Низкопороговые $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ лазеры раздельного ограничения с $\lambda=1.3$ мкм и $\lambda=1.55$ мкм ($I_{\text{пор.}}=600-700\,\text{А/см}^{2}$)
    
    Письма в ЖТФ, 12:4 (1986),  210–215
19. Особенности температурной зависимости порогов в РО InGaAsP/InP ДГ лазерах (${\lambda=1.3}$ мкм) с тонкой активной областью
    
    Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985),  1496–1498
20. Инжекционный непрерывный лазер с мощностью 60 мВт на сонове жидкофазной РО InGaAsP ДГС (${\lambda=1.35}$ мкм, ${T=300}$ K)
    
    Физика и техника полупроводников, 19:3 (1985),  456–459
21. Мощные мезаполосковые РО $In\,Ga\,As/In\,P$ лазеры для ВОЛС ($\lambda= 1.3$ мкм, $T=18^{\circ}$ С, $I =300$ мА, $P=28$ мВт в волокне $\varnothing$ $50$ мкм)
    
    Письма в ЖТФ, 11:22 (1985),  1345–1349
22. Непрерывный $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ РО ДГ лазер с КПД $17\%$ ($\lambda=1.32$ мкм, $T=290$ K)
    
    Письма в ЖТФ, 11:19 (1985),  1157–1162
23. Отрицательная нелинейность показателя преломления диэлектриков с примесными ионами
    
    Письма в ЖТФ, 9:13 (1983),  799–803