RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Турчановский Игорь Юрьевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Неоднородная пластическая деформация аморфных металлических сплавов под действием квазистатической механической нагрузки

    ЖТФ, 93:1 (2023),  104–116
  2. О возможном механизме внешнего инфразвукового механического стимулирования процесса формирования нанокристаллов в аморфной металлической пленке

    ЖТФ, 91:11 (2021),  1662–1673
  3. Кинетическая модель наноструктурирования аморфной металлической пленки, инициированного миллисекундным тепловым импульсом

    ЖТФ, 90:7 (2020),  1136–1144
  4. Зарождение и распространение температурного фронта при кристаллизации аморфного сплава Ti$_{50}$Cu$_{50}$

    ЖТФ, 88:3 (2018),  374–379
  5. Лазер на смеси SF6 — H2 с накачкой радиально сходящимся пучком электронов

    Квантовая электроника, 24:9 (1997),  781–785
  6. XeCl-лазер с энергией генерации 200 Дж

    Квантовая электроника, 24:8 (1997),  688–690
  7. Моделирование процессов в He$-$Cd смеси при ионной и электронной накачках

    ЖТФ, 62:3 (1992),  18–23
  8. Предельные значения выхода СЖР излучения при торможении электронов

    Письма в ЖТФ, 17:12 (1991),  17–21
  9. Влияние состава смеси на характеристики мощного XeCl-лазера, возбуждаемого электронным пучком

    Квантовая электроника, 17:3 (1990),  300–303
  10. Генерация в ксеноне при накачке радиально сходящимся пучком электронов

    Квантовая электроника, 17:1 (1990),  17–19
  11. Влияние магнитного поля на угловое распределение электронов

    Письма в ЖТФ, 15:24 (1989),  76–79
  12. Возможность получения имплантированных слоев большой толщины

    Письма в ЖТФ, 13:21 (1987),  1303–1306
  13. Влияние магнитного поля на распределение энергии в рабочем объеме газового лазера, возбуждаемого электронным пучком

    Квантовая электроника, 14:5 (1987),  991–993
  14. Восстановление динамики кристаллизации имплантированных образцов при импульсном тепловом воздействии

    ЖТФ, 56:3 (1986),  619–621
  15. Динамика импульсного электронного отжига легированных полупроводников

    ЖТФ, 53:7 (1983),  1385–1386


© МИАН, 2025