RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Печенов Александр Николаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Внутрирезонаторная волоконно-оптическая стабилизация поперечного распределения поля полупроводникового лазера

    Квантовая электроника, 17:1 (1990),  46–48
  2. Энергетические и временные характеристики излучения стримерного лазера с продольным выходом излучения

    Квантовая электроника, 16:9 (1989),  1790–1792
  3. Стримерный лазер на сульфиде цинка

    Квантовая электроника, 15:9 (1988),  1764–1766
  4. Движение дислокаций в CdS, стимулированное лазерным излучением

    Физика твердого тела, 29:4 (1987),  1209–1211
  5. Спектрально-временная динамика излучения стримерного полупроводникового лазера

    Квантовая электроника, 14:6 (1987),  1230–1234
  6. Разрушение монокристаллов CdS собственным лазерным излучением

    Квантовая электроника, 14:1 (1987),  164–169
  7. Влияние избыточного давления серы при выращивании кристаллов CdS на характеристики лазеров, возбуждаемых электронным пучком

    Квантовая электроника, 12:6 (1985),  1307–1309
  8. Электроразрядный (стримерный) лазер на InP

    Квантовая электроника, 11:3 (1984),  611–613
  9. Оптическая накачка лазера на CdS0,5Se0,5 излучением стримерного лазера на CdS

    Квантовая электроника, 10:9 (1983),  1942–1943
  10. Исследование генерации света в направлении стримерного канала в полупроводниках А2В6

    Квантовая электроника, 10:6 (1983),  1165–1170
  11. Использование эпитаксиальных слоев ZnSe, выращенных из элементоорганических соединений, для лазеров с электронной накачкой

    Квантовая электроника, 9:9 (1982),  1887–1888
  12. Пространственно-временные и мощностные характеристики стримерного полупроводникового лазера на CdS

    Квантовая электроника, 9:8 (1982),  1530–1535
  13. О методике измерения коэффициента оптического усиления полупроводниковых материалов

    Квантовая электроника, 7:9 (1980),  2011–2014
  14. Оптоэлектронное оперативное запоминающее устройство на основе МНОП-структуры и лазерной ЭЛТ

    Квантовая электроника, 7:7 (1980),  1585–1588
  15. Исследование деградации лазерного экрана электронно-лучевой трубки

    Квантовая электроника, 7:5 (1980),  1058–1062
  16. Сканирующий полупроводниковый лазер с поперечной накачкой электронным пучком

    Квантовая электроника, 6:3 (1979),  603–604
  17. О механизме генерации в лазерных экранах, выполненных из полупроводниковых соединений AIIBVI

    Квантовая электроника, 6:1 (1979),  189–196
  18. Полупроводниковый лазер на волноводной структуре ZnSe–ZnS с возбуждением электронным пучком

    Квантовая электроника, 5:3 (1978),  682–684
  19. Исследование лазерной электронно-лучевой трубки в режиме сканирования

    Квантовая электроника, 5:3 (1978),  487–494
  20. Получение генерации в телевизионном режиме работы лазерной электронно-лучевой трубки при комнатной температуре лазерного экрана

    Квантовая электроника, 4:10 (1977),  2246–2248
  21. Лазерные экраны из монокристаллических слитков CdS, CdSxSe1–x, ZnSe

    Квантовая электроника, 4:2 (1977),  351–354
  22. Получение телевизионного изображения с помощью лазерной электронно-лучевой трубки в режиме сканирования вдоль строки

    Квантовая электроника, 2:7 (1975),  1587–1588
  23. Получение телевизионного изображения на большом экране с помощью лазерной электроннолучевой трубки

    Квантовая электроника, 1:11 (1974),  2521–2523
  24. Лазерный экран из объемных монокристаллов сульфида и селенида кадмия

    Квантовая электроника, 1:9 (1974),  2083–2085
  25. Динамика излучения полупроводникового лазера с продольным возбуждением электронным пучком

    Квантовая электроника, 1:5 (1974),  1266–1267
  26. Вынужденная синхронизация продольных мод в полупроводниковом лазере с электронной накачкой

    Квантовая электроника, 1:5 (1974),  1264–1265
  27. Использование электроннолучевой трубки с полупроводниковым лазерным экраном для записи фазовых голограмм на фотопластических носителях

    Квантовая электроника, 1:1 (1974),  193–195
  28. Запись голограмм электроннолучевой трубкой с лазерным экраном

    Квантовая электроника, 1:1 (1974),  158–159
  29. Исследование динамики излучения полупроводникового лазера типа «излучающее зеркало» с внешним резонатором

    Квантовая электроника, 1:1 (1974),  149–151
  30. Восстановление голографического изображения излучением полупроводникового лазерного экрана

    Квантовая электроника, 1:1 (1974),  84–90
  31. О направленности излучения лазеров типа «излучающее зеркало» с электронной накачкой

    Квантовая электроника, 1972, № 6(12),  110–111
  32. Многоэлементный полупроводниковый лазер типа «излучающее зеркало»

    Квантовая электроника, 1971, № 5,  95–96
  33. Мощный полупроводниковый квантовый генератор с накачкой электронным пучком

    Квантовая электроника, 1971, № 2,  92–93
  34. Сила электронного перехода красной системы полос $\rm{CN}$

    ТВТ, 5:1 (1967),  32–36
  35. Индуцированное излучение в монокристалле $\mathrm{GaSe}$ при возбуждении быстрыми электронами

    Докл. АН СССР, 161:5 (1965),  1059
  36. Определение матричного элемента дипольного момента электронного перехода красной системы полос циана

    ТВТ, 2:2 (1964),  181–187
  37. Определение матричного элемента дипольного момента электронного перехода фиолетовой системы полос циана. $\rm III$

    ТВТ, 1:3 (1963),  376–385
  38. Определение матричного элемента дипольного момента электронного перехода фиолетовой системы полос циана. $\rm II$

    ТВТ, 1:2 (1963),  218–227
  39. Определение матричного элемента дипольного момента электронного перехода фиолетовой системы полос циана. $\rm I$

    ТВТ, 1:1 (1963),  73–84


© МИАН, 2025