Солодков А Ф

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Прямая амплитудная модуляция излучения ДГС (InGA)AsP/InP-лазеров (λ = 1,3 мкм) с раздельным ограничением
   
   Квантовая электроника, 18:3 (1991),  281–286
2. Глубокая амплитудная модуляция излучения гетеролазеров с зарощенной мезаструктурой в полосе частот до 5 ГГц
   
   Квантовая электроника, 17:2 (1990),  218–221
3. Условия получения и динамические параметры пикосекундных моноимпульсов излучения гетеролазера
   
   Квантовая электроника, 14:10 (1987),  1981–1983
4. Переходный процесс в инжекционном лазере с неквазифермиевской функцией распределения электронов
   
   Квантовая электроника, 14:1 (1987),  71–75
5. Аналоговая частотная модуляция излучения одномодовых гетеролазеров спектрального диапазона 1,3 мкм
   
   Квантовая электроника, 13:6 (1986),  1267–1269
6. Генерирование и регистрация пикосекундных оптических импульсов при прямой токовой модуляции инжекционного гетеролазера
   
   Письма в ЖТФ, 11:14 (1985),  862–865
7. Амплитудная модуляция излучения одночастотного инжекционного лазера гармоническим токовым сигналом
   
   Квантовая электроника, 12:6 (1985),  1314–1316
8. Высокочастотные амплитудные шумы полосковых инжекционных лазеров
   
   Квантовая электроника, 12:5 (1985),  1116–1118
9. Управление пичковым режимом генерирования двухкомпонентного гетеролазера
   
   Квантовая электроника, 12:5 (1985),  953–958
10. Частотная модуляция излучения двухкомпонентного инжекционного лазера с составным резонатором
    
    Квантовая электроника, 11:9 (1984),  1859–1862
11. Инжекционный лазерный усилитель бегущей волны на основе двойной (GaAl) As-гетероструктуры
    
    Квантовая электроника, 11:2 (1984),  375–381
12. Двухкомпонентный гетеролазер с оптическим управлением
    
    Квантовая электроника, 10:12 (1983),  2498–2500
13. Двухкомпонентный пространственно-неоднородный гетеролазер на (GaAl) As
    
    Квантовая электроника, 10:7 (1983),  1332–1337
14. Влияние тепловых процессов на пороговые характеристики гетеролазера с пространственно-неоднородной инжекцией
    
    Квантовая электроника, 10:5 (1983),  1030–1033
15. Спектральная линия усиления инжекционного гетеролазера из GaAlAs
    
    Квантовая электроника, 10:3 (1983),  598–602
16. Предпороговая оптическая связь между участками пространственно-неоднородного инжекционного лазера
    
    Квантовая электроника, 9:11 (1982),  2310–2313
17. Динамические характеристики полупроводникового инжекционного усилителя излучения на основе GaAs
    
    Квантовая электроника, 8:5 (1981),  1095–1098