Умысков Александр Филиппович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Модуляция добротности в кристаллическом YSGG:Cr³⁺:Yb³⁺:Ho³⁺-лазере на переходе ⁵I₆ — ⁵I₇ (λ = 2.92 мкм)
   
   Квантовая электроника, 27:1 (1999),  13–15
2. Эффективный лазер трехмикронного диапазона на кристалле YSGG:Cr³⁺, Yb³⁺, Ho³⁺
   
   Квантовая электроника, 23:9 (1996),  791–792
3. Лазер на кристалле YSGG:Cr³⁺, Yb³⁺, Ho³⁺ с плавно перестраиваемой длиной волны излучения в диапазоне 2.84 — 3.05 мкм
   
   Квантовая электроника, 23:7 (1996),  579–580
4. Кристаллы YSGG:Cr³⁺, Yb³⁺, Ln³⁺ как активные среды твердотельных лазеров
   
   Квантовая электроника, 23:5 (1996),  433–437
5. Каскадная генерация на ионах Но³⁺ в кристалле иттрий-скандий-галлиевого граната YSGG:Cr³⁺, Yb³⁺, Ho³⁺
   
   Квантовая электроника, 20:4 (1993),  366–370
6. Кристалл Yb₃Sc₂Ga₃O₁₂:Cr³⁺, Но³⁺ – перспективный материал для генерации по каскадной схеме на ионах Но³⁺
   
   Квантовая электроника, 19:9 (1992),  842–844
7. Сенсибилизация люминесценции ионов Ег³⁺ с ионами Се³⁺ в кристалле YAG
   
   Квантовая электроника, 19:2 (1992),  167–170
8. Фотоиндуцированное короткоживущее поглощение в кристаллах ГСГГ:Сг³⁺, Nd³⁺ и ГСАГ:Сг³⁺, Nd³⁺
   
   Квантовая электроника, 18:9 (1991),  1056–1059
9. Влияние спектрального состава возбуждающего света на генерационные и спектрально-люминесцентные свойства кристаллов ИСГГ : Cr³⁺, Тm³⁺, Но³⁺ и ГСАГ:Сr³⁺, Тm³⁺, Но³⁺
   
   Квантовая электроника, 18:2 (1991),  166–169
10. Влияние спектрального состава излучения накачки на генерационные и спектрально-люминесцентные характеристики кристалла YAlO₃:Nd³⁺
    
    Квантовая электроника, 17:11 (1990),  1445–1448
11. Непрерывная генерация ионов эрбия в кристаллах ИСГГ: Сг³⁺, Ег³⁺ в области 3 мкм при комнатной температуре
    
    Квантовая электроника, 17:10 (1990),  1277–1281
12. Лазер двухмикрометрового диапазона на кристалле ИСГГ:Cr³⁺, Tm³⁺
    
    Квантовая электроника, 17:7 (1990),  861–863
13. Экспериментальное обнаружение неаддитивности различных каналов образования инверсной населенности на переходе ⁴I_11/2 → ⁴I_13/2 иона Ег³⁺ в кристалле ИСГГ:Cr³⁺, Er³⁺
    
    Квантовая электроника, 17:6 (1990),  716–717
14. Лазер трехмикронного диапазона на ZrO₂–Y₂O₃:Er³⁺
    
    Квантовая электроника, 16:12 (1989),  2421–2423
15. Гольмиевый лазер (λ = 2,09 мкм) на кристалле ГСАГ:Cr³⁺–Tm³⁺–Ho³⁺, работающий при комнатной температуре
    
    Квантовая электроника, 16:11 (1989),  2176–2179
16. Лазер с активными элементами из кристаллов ИСГГ : Cr, Nd и ИСГГ : Cr, Tm, Ho, излучающий на длинах волн 1,06 и 2,088 мкм
    
    Квантовая электроника, 16:4 (1989),  673–675
17. Генерация гигантского импульса в моде TEM₀₀ (λ = 2,088 мкм) на кристалле ИСГГ: Cr, Tm, Ho с ламповой накачкой
    
    Квантовая электроника, 16:4 (1989),  672–673
18. Механизмы образования центров окраски в хромсодержащих кристаллах скандиевых гранатов
    
    Физика твердого тела, 30:8 (1988),  2296–2302
19. Фотоиндуцированные потери в кристалле ГСГГ:Cr³⁺, Nd³⁺
    
    Квантовая электроника, 15:10 (1988),  2071–2077
20. Лазер на ионах гольмия в кристалле иттрий-скандий-галлиевого граната с модуляцией добротности
    
    Квантовая электроника, 15:5 (1988),  960–961
21. Низкопороговый ИСГГ:Cr, Er-лазер трехмикронного диапазона с высокой частотой повторения импульсов
    
    Квантовая электроника, 15:5 (1988),  871–872
22. Акустооптическая модуляция излучения ГСГГ-$\mathrm{Cr}$-$\mathrm{Nd}$-лазера, работающего при высоких энергиях накачки
    
    Докл. АН СССР, 296:2 (1987),  335–337
23. Спектрально-ограниченные пикосекундные импульсы лазера на ИСГГ:Cr³⁺, Er³⁺ (λ = 2,79 мкм) с активной синхронизацией мод
    
    Квантовая электроника, 14:6 (1987),  1219–1224
24. Эффективный лазер (λ = 2,088 мкм) на иттрий-скандий-галлиевом гранате с ионами хрома, тулия и гольмия при комнатной температуре
    
    Квантовая электроника, 14:5 (1987),  922–923
25. Компактный лазер на основе ГСГГ:Cr³⁺, Nd³⁺ с пассивной модуляцией добротности
    
    Квантовая электроника, 14:5 (1987),  905–906
26. Генерация ионов гольмия на переходе⁵I₇→⁵I₈ при комнатной температуре в кристалле иттрий-скандий-галлиевого граната с ионами хрома, тулия и гольмия
    
    Квантовая электроника, 13:10 (1986),  2127–2129
27. Спектрально-люминесцентные и генерационные свойства кристалла иттрий-скандий-галлиевого граната с хромом и эрбием
    
    Квантовая электроника, 13:5 (1986),  973–979
28. Перестраиваемый лазер на кристалле гадолиний-скандий-галлиевого граната, работающий на электронно-колебательном переходе хрома
    
    Квантовая электроника, 10:9 (1983),  1916–1919