Крюкова Ирина Васильевна

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Перегрев электронно-дырочной плазмы в активном элементе полупроводникового лазера с внешней накачкой
   
   Квантовая электроника, 17:7 (1990),  872–876
2. Импульсно-периодический режим работы многоэлементного полупроводникового лазера с электронным возбуждением
   
   Квантовая электроника, 15:10 (1988),  2015–2018
3. Пассивный затвор со смесью насыщающихся поглотителей для синхронизации мод твердотельных лазеров
   
   Квантовая электроника, 14:4 (1987),  813–815
4. Импульсно-периодический полупроводниковый лазер с накачкой электронным пучком
   
   Квантовая электроника, 14:3 (1987),  605–607
5. Лазеры на красителях с накачкой излучением мощных полупроводниковых лазеров
   
   Квантовая электроника, 14:1 (1987),  218–220
6. Исследование деградации отпаянных полупроводниковых лазеров с электронной накачкой
   
   Квантовая электроника, 13:12 (1986),  2529–2531
7. Электронно-лучевая и оптическая стойкость полупроводников при импульсном возбуждении пучком электронов высокой интенсивности
   
   Квантовая электроника, 13:10 (1986),  2132–2135
8. Импульсный неохлаждаемый полупроводниковый лазер на окиси цинка
   
   Письма в ЖТФ, 11:3 (1985),  136–140
9. Импульсный многоэлементный полупроводниковый лазер с неустойчивым резонатором
   
   Квантовая электроника, 12:7 (1985),  1519–1521
10. Неохлаждаемые импульсные лазеры на сульфиде кадмия и арсениде галлия с продольной накачкой электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 12:7 (1985),  1517–1519
11. Спектрально-временные характеристики излучения кристаллов сульфида кадмия
    
    Квантовая электроника, 8:8 (1981),  1790–1796
12. Полупроводниковый лазер с перестраиваемой длиной волны излучения на основе четверных соединений $Ga_xIn_{1-x}As_ySb_{1-y}$
    
    Квантовая электроника, 7:3 (1980),  644–646
13. Эффективная генерация электронно-дырочной плазмы в GaAs при электронном возбуждении
    
    Квантовая электроника, 6:11 (1979),  2425–2428
14. Спектрально-временные характеристики излучения вырожденной электронно-дырочной плазмы в GaAs и CdS при 300 K
    
    Квантовая электроника, 6:7 (1979),  1507–1512
15. О механизмах генерации лазерного излучения в эпитаксиальном InAs при электронном возбуждении
    
    Квантовая электроника, 6:7 (1979),  1401–1408
16. О деградации неохлаждаемых лазеров на арсениде галлия с электронной накачкой
    
    Квантовая электроника, 6:5 (1979),  1109–1111
17. Эффективная генерация полупроводникового лазера на основе Ga_xln_1–xAs_ySb_1–y в спектральном диапазоне 1,8–2,4 мкм при комнатной температуре
    
    Квантовая электроника, 5:1 (1978),  126–128
18. Спонтанное и стимулированное излучение твердых растворов Ga_xIn_1–xAs, GaAs_xSb_1–x и Ga_xIn_1–xAs_1–yP_y
    
    Квантовая электроника, 3:11 (1976),  2490–2494
19. Исследование процессов деградации в лазерах на сульфиде кадмия при электронном возбуждении
    
    Квантовая электроника, 3:11 (1976),  2475–2477
20. Полупроводниковые лазеры с накачкой электронным пучком на In As и Pb_xSn_1–xSe
    
    Квантовая электроника, 3:10 (1976),  2302–2303
21. Спектральные и мощностные характеристики лазеров с электронным возбуждением на антимониде галлия
    
    Квантовая электроника, 3:10 (1976),  2205–2214
22. Стимулированное излучение InAs при электронном возбуждении
    
    Квантовая электроника, 3:7 (1976),  1601–1605
23. Люминесценция и лазерный эффект в Ga_xln_1–xAs_ySb_1–y
    
    Квантовая электроника, 3:4 (1976),  932–934
24. Саморазрушение лазеров на арсениде галлия с электронной накачкой
    
    Квантовая электроника, 2:9 (1975),  1969–1977
25. Влияние несовершенств кристаллического строения арсенида галлия на параметры лазеров с электронным возбуждением
    
    Квантовая электроника, 2:5 (1975),  1058–1062
26. Полупроводниковый квантовый генератор с электронной на качкой на основе Al_xGa_1–xSb
    
    Квантовая электроника, 2:1 (1975),  68–72
27. Исследование фотолюминесценции и параметров лазерного излучения при электронном возбуждении легированных твердых растворов Al$_x$Ga$_{1-x}$As
    
    Квантовая электроника, 1:12 (1974),  2602–2607
28. Влияние дефектов структуры кристаллов на излучательную рекомбинацию арсенида галлия
    
    Квантовая электроника, 1:3 (1974),  673–675
29. Параметры лазеров на Al_xGa_1–xAs с электронной накачкой в видимой области спектра
    
    Квантовая электроника, 1:1 (1974),  178–180
30. КГС-3 – лазер с электронной накачкой на антимониде галлия
    
    Квантовая электроника, 1:1 (1974),  114–118
31. Кинетика восстановления люминесцентных свойств монокристаллов арсенида галлия, облученных интенсивным пучком электронов
    
    Квантовая электроника, 1972, № 5(11),  108–111
32. Электроннолучевая трубка с полупроводниковой мишенью – сканирующий лазер с электронной накачкой
    
    Квантовая электроника, 1972, № 3(9),  110–112
33. КГП-2 – лазер с электронной накачкой на сульфиде кадмия
    
    Квантовая электроника, 1972, № 3(9),  99–101
34. Характеристики квантового генератора на арсениде галлия с накачкой пучком электронов высокой энергии
    
    Квантовая электроника, 1971, № 3,  29–33