Авруцкий И А

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Полупроводниковые лазеры на длину волны 980 нм с туннельно-связанными волноводами
   
   Квантовая электроника, 24:2 (1997),  123–126
2. Одномодовый режим генерации инжекционных лазеров с трапециевидной активной областью
   
   Квантовая электроника, 23:8 (1996),  701–703
3. Лазеры с длиной волны излучения 0.98 мкм на основе гетероструктур InGaP/GaAs/InGaAs, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии
   
   Квантовая электроника, 21:10 (1994),  921–924
4. Определение однородности квантовых ям на основе InGaAs/GaAs по фотомодуляционным спектрам
   
   Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992),  1907–1913
5. Расчет параметров экситона в напряженных КЯ структурах на основе In$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 25:10 (1991),  1787–1791
6. Оптическая бистабильность при возбуждении нелинейного гофрированного волновода
   
   Квантовая электроника, 17:7 (1990),  933–937
7. Двухслойные волноводы с гофрированными границами и излучение света из них
   
   ЖТФ, 59:11 (1989),  38–47
8. Высокоэффективный решеточный элемент связи
   
   ЖТФ, 59:7 (1989),  61–65
9. Аномальное отражение света от поверхности гофрированного волновода с усилением
   
   Квантовая электроника, 16:2 (1989),  351–354
10. Однонаправленный вывод излучения из комбинированного диэлектрического волновода
    
    Квантовая электроника, 16:2 (1989),  338–343
11. Источники излучения для ВОЛС со спектральным уплотнением информационных каналов в диапазоне 1,3–1,6 мкм
    
    Квантовая электроника, 15:4 (1988),  702–704
12. Интерференция волноводных мод при отражении света от поверхности гофрированного волновода
    
    Квантовая электроника, 15:3 (1988),  575–578
13. Оптимизация характеристик дисперсионного элемента на основе гофрированного волновода
    
    Квантовая электроника, 15:3 (1988),  569–574
14. Отражение ограниченного пучка света от поверхности периодически возмущенного волновода
    
    ЖТФ, 57:2 (1987),  386–389
15. Образование периодического микрорельефа на поверхности волноводной структуры под действием лазерного излучения
    
    ЖТФ, 57:1 (1987),  199–202
16. Одночастотный полупроводниковый лазер с $\lambda=1.3$ мкм c волоконным внешним резонатором
    
    Письма в ЖТФ, 13:14 (1987),  849–854
17. Отражение света от поверхности двусторонне гофрированного волновода и особенности распространения света в нем
    
    Квантовая электроника, 14:6 (1987),  1140–1143
18. Планарные волноводы с модами утечки и определение их параметров
    
    Квантовая электроника, 14:4 (1987),  884–886
19. Анализ структурных изменений на поверхности слоистой среды, подверженной воздействию лазерного излучения
    
    Квантовая электроника, 14:1 (1987),  67–70
20. Отражение гауссова пучка света от поверхности гофрированного волновода
    
    Квантовая электроника, 13:11 (1986),  2353–2355
21. Спектральные и лазерные характеристики зеркала с гофрированным волноводом на его поверхности
    
    Квантовая электроника, 13:8 (1986),  1629–1632
22. Теплофизический механизм углубления и движения периодических структур на германии
    
    Письма в ЖТФ, 11:10 (1985),  621–627
23. О возможности экспериментального выявления теплофизического механизма образования периодических поверхностных структур
    
    Квантовая электроника, 12:11 (1985),  2377–2379
24. Движение периодического поверхностного микрорельефа под действием мощного лазерного излучения
    
    Квантовая электроника, 12:3 (1985),  650–652
25. Периодический микрорельеф на поверхности Ge и теплофизический механизм его образования
    
    Письма в ЖТФ, 10:21 (1984),  1333–1339
26. Самоусиление модуляции диэлектрической проницаемости поверхности германия под действием мощной световой волны
    
    Письма в ЖТФ, 10:18 (1984),  1089–1094