Буташин Андрей Викторович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Латеральные неоднородности сапфировых пластин по данным рентгеновских и зондовых методов
   
   ЖТФ, 90:3 (2020),  419–426
2. Перестройка сверхгладкой поверхности кристаллов La$_3$Ga$_5$SiO$_{14}$ при термическом воздействии
   
   Письма в ЖЭТФ, 109:9 (2019),  629–633
3. Твердофазная эпитаксия пленок BiFeO$_{3}$ с магнитоэлектрическими свойствами на сапфире
   
   Письма в ЖТФ, 45:3 (2019),  37–40
4. Влияние напряжений на магнитные свойства пленок NiFe$_{2}$O$_{4}$ и CoFe$_{2}$O$_{4}$ на сапфире
   
   Письма в ЖТФ, 44:16 (2018),  57–66
5. Новый лютецийсодержащий лазерный кристалл CaLu₂F₈:Nd³⁺
   
   Квантовая электроника, 27:2 (1999),  95–97
6. Квазинепрерывный Pr³⁺:LiYF₄-лазер с λ = 0.6395 мкм и средней выходной мощностью 2.3 Вт
   
   Квантовая электроника, 25:3 (1998),  195–196
7. Непрерывная трехмикронная генерация на новом лазерном кристалле BaLu₂F₈:Er³⁺ с полупроводниковой лазерной накачкой
   
   Квантовая электроника, 25:2 (1998),  99–100
8. Наблюдение ВКР в лейкосапфире α-Al₂O₃
   
   Квантовая электроника, 24:7 (1997),  629–630
9. Новый лазерный кристалл BaLu₂F₈:Nd³⁺
   
   Квантовая электроника, 23:9 (1996),  773–774
10. ГВГ с фазовым согласованием черенковского типа в объемном нелинейном кристалле LaBGeO₅
    
    Квантовая электроника, 23:5 (1996),  391–392
11. Ромбический кристалл Gd₂(MoO₄)₃ — новый нелинейный лазерный материал для эффективной генерации второй гармоники
    
    Квантовая электроника, 23:2 (1996),  99–100
12. Новые материалы на основе соединений $\mathrm{LaBGeO}_5$–$\mathrm{Nd}^{3+}$ для твердотельных лазеров с диодно-лазерной накачкой
    
    Докл. РАН, 329:2 (1993),  169–170
13. Высокоэффективные одномодовые непрерывные лазеры с диодно-лазерной накачкой на основе неодимсодержащих нелинейных кристаллов с упорядоченной и разупорядоченной структурой и высококонцентрированного граната Y₃Al₅O₁₂:Nd³⁺
    
    Квантовая электроника, 20:11 (1993),  1081–1083
14. Новый разупорядоченный кристалл Ca₂Ga₂SiO₇:Nd³⁺ для мощных твердотельных лазеров
    
    Квантовая электроника, 19:2 (1992),  111–113
15. Новый низкопороговый лазерный ацентричный кристалл LaBGeO₅–Nd³⁺
    
    Квантовая электроника, 17:8 (1990),  957–958
16. Фоторефрактивный эффект в пьезоэлектрическом кристалле La$_{3}$Ga$_{5}$SiO$_{14}$–Pr$^{3+}$
    
    Физика твердого тела, 31:8 (1989),  318–320
17. Модифицированные редкоземельные галлаты со структурой $\mathrm{Ca}_3\mathrm{Ga}_2\mathrm{Ge}_4\mathrm{O}_{14}$
    
    Докл. АН СССР, 264:6 (1982),  1385–1389
18. Кристаллическая структура $\mathrm{Ca}$-галлогерманата $\mathrm{Ca}_3\mathrm{Ga}_2\mathrm{Ge}_4\mathrm{O}_{14}=\mathrm{Ca}_3\mathrm{Ge}[(\mathrm{Ga}_2\mathrm{Ge})\mathrm{Ge}_2\mathrm{O}_{14}]$ и его аналога $\mathrm{Ba}_3\mathrm{Fe}_2\mathrm{Ge}_4\mathrm{O}_{14}=\mathrm{Ba}_3[(\mathrm{FeGe}_2)\mathrm{Ge}_2\mathrm{O}_{14}]$
    
    Докл. АН СССР, 255:5 (1980),  1099–1104