Даварашвили О И

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Влияние контактных слоев на тепловые свойства лазерной структуры PbSe/PbSnSeTe
   
   Квантовая электроника, 23:4 (1996),  318–320
2. О температурной зависимости порогового тока в ДГС-лазерах на PbSe/PbSnSe
   
   Квантовая электроника, 20:4 (1993),  345–348
3. Исследование ВАХ инжекционных лазеров с изопериодическими слоями PbSnSeTe
   
   Квантовая электроника, 19:2 (1992),  128–131
4. Исследование перестроечных характеристик лазеров на ДГС PbSe/PbSnSeTe в импульсном режиме работы
   
   Квантовая электроника, 18:10 (1991),  1170–1172
5. Измерение ширины линии генерации TEA CO₂-лазера с помощью перестраиваемых диодных лазеров
   
   Квантовая электроника, 17:8 (1990),  1077–1080
6. Состав и тип проводимости эпитаксиальных слоев $\mathrm{Pb}_{1-x}\mathrm{Sn}_x\mathrm{Se}_{1-y}\mathrm{Te}_y$
   
   Докл. АН СССР, 272:6 (1983),  1371–1374
7. Анализ факторов, влияющих на пороговый ток генерации в инжекционном гетеролазере на основе Pb_1–xSn_xSe
   
   Квантовая электроника, 9:11 (1982),  2140–2150
8. Состав и тип проводимости эпитаксиальных слоев $\mathrm{Pb}_{1-x}\mathrm{Sn}_x\mathrm{Se}$
   
   Докл. АН СССР, 259:1 (1981),  83–86
9. Гетеролазеры с оптической накачкой на основе четырехкомпонентных твердых растворов Pb$_{1-x}$Sn$_x$Se$_{1-y}$Te$_y$ с согласованными решетками на гетерогранице
   
   Квантовая электроника, 5:12 (1978),  2630–2633
10. Многокомпонентные твердые растворы соединений A^IVB^VI
    
    Квантовая электроника, 4:4 (1977),  904–907