Рахвальский М П

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Излучательные характеристики заращенных мезаполосковых гетеролазеров на 1,5 мкм
   
   Квантовая электроника, 17:9 (1990),  1147–1150
2. Исследование поперечной структуры поля инжекционного лазера с помощью внешнего дисперсионного резонатора
   
   Квантовая электроника, 16:9 (1989),  1765–1769
3. Растекание тока в полосковом полупроводниковом лазере с оксидной изоляцией
   
   Квантовая электроника, 15:9 (1988),  1720–1723
4. Оптический усилитель бегущей волны на основе инжекционного лазерного диода
   
   Квантовая электроника, 13:9 (1986),  1859–1867
5. Непрерывная одночастотная генерация в инжекционном лазере на основе гетероструктуры террасной формы с внешним дисперсионным резонатором
   
   Квантовая электроника, 12:1 (1985),  162–164
6. Спектрально-согласованная модуляция излучения инжекционного лазера в усилителе бегущей волны с частотой до 2 ГГц
   
   Квантовая электроника, 11:2 (1984),  231–232
7. Взаимодействие мод и автостабилизация одночастотной генерации в инжекционных лазерах
   
   Квантовая электроника, 10:9 (1983),  1851–1865
8. Перестраиваемая непрерывная генерация в диапазоне 1,3 мкм в гетеролазере на основе GalnPAs/lnP с внешним дисперсионным резонатором
   
   Квантовая электроника, 9:7 (1982),  1504–1506
9. Радиочастотные спектры биений мод и пульсации интенсивности инжекционного лазера с внешним дисперсионным резонатором
   
   Квантовая электроника, 8:9 (1981),  1957–1961
10. Бистабильный режим и спектральная перестройка в инжекционном лазере с внешним дисперсионным резонатором
    
    Квантовая электроника, 8:4 (1981),  853–859
11. Оптическое гетеродинирование излучения инжекционного лазера с внешним дисперсионным резонатором
    
    Квантовая электроника, 7:12 (1980),  2642–2644
12. О ступенчатой форме импульсов излучения инжекционных лазеров на основе двойной гетероструктуры GaAs-AlGaAs с полосковой формой контакта
    
    Квантовая электроника, 7:1 (1980),  123–127