Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Генерационные характеристики кристалла CaGdAlO4:Nd3+ при диодной накачке
Квантовая электроника, 24:1 (1997), 17–19
-
GdVO4:Tm3+ — новая эффективная среда для двухмикронных лазеров с диодной накачкой
Квантовая электроника, 24:1 (1997), 15–16
-
Кристаллы GdVO4:Nd – новый материал для лазеров с диодной накачкой
Квантовая электроника, 19:12 (1992), 1149–1150
-
Непрерывная генерация ионов эрбия в кристаллах ИСГГ: Сг3+, Ег3+ в области 3 мкм при комнатной температуре
Квантовая электроника, 17:10 (1990), 1277–1281
-
Определение формы ядер и ядерных моментов с помощью лазерной спектроскопии
Квантовая электроника, 15:6 (1988), 1125–1130
-
Измерение абсолютного квантового выхода люминесценции с верхнего лазерного уровня Nd3+ в кристалле NdP5O14
Квантовая электроника, 9:3 (1982), 612–613
© , 2024