Швейкин В И

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Лазеры с повышенным ресурсом работы на основе РО-ДГС, полученных методом низкотемпературной ЖФЭ
   
   Письма в ЖТФ, 17:3 (1991),  89–93
2. Лазерный диод, излучающий на длине волны 663 нм в непрерывном режиме при комнатной температуре
   
   Квантовая электроника, 18:7 (1991),  824–825
3. Низкопороговые инжекционные лазеры на 1,3 мкм зарощенного типа с двухканальным боковым ограничением, изготовленные на подложках n-InP
   
   Квантовая электроника, 16:3 (1989),  457–462
4. Модуляция в полосе до 5 ГГц
   
   Письма в ЖТФ, 14:17 (1988),  1580–1583
5. Миниатюрный твердотельный лазер с полупроводниковой накачкой и преобразованием частоты, излучающий в УФ области спектра
   
   Квантовая электроника, 15:7 (1988),  1323–1324
6. Высокоэффективный твердотельный лазер, излучающий в зеленой области спектра
   
   Квантовая электроника, 15:5 (1988),  962–963
7. Источники излучения для ВОЛС со спектральным уплотнением информационных каналов в диапазоне 1,3–1,6 мкм
   
   Квантовая электроника, 15:4 (1988),  702–704
8. Непрерывная генерация при 100$^{\circ}$C и высокотемпературные испытания лазеров на основе InGaAsP/InP
   
   ЖТФ, 57:8 (1987),  1570–1574
9. Исследование перестроечных характеристик одночастотных полупроводниковых лазеров с высоким спектральным разрешением
   
   Письма в ЖТФ, 13:12 (1987),  718–723
10. Низкопороговые инжекционные лазеры на основе InGaAsP/InP
    
    Квантовая электроника, 14:11 (1987),  2201–2202
11. Инжекционные гетеролазеры и интегральные пары лазер – фотоприемник с резонаторами, полученными микроскалыванием
    
    Квантовая электроника, 13:6 (1986),  1195–1200
12. Спонтанные торцевые InGaAsP/InP ДГС излучатели (${\gamma=1.3}$ мкм) для ВОЛС диаметром $50$ мкм
    
    ЖТФ, 55:4 (1985),  807–809
13. Инжекционные лазеры на основе InGaAsP/lnP с трехслойным волноводом
    
    Квантовая электроника, 11:3 (1984),  631–633
14. Пространственно-временны́е характеристики излучения одномодовых инжекционных лазеров
    
    ЖТФ, 53:12 (1983),  2408–2410
15. Низкопороговые полосковые зарощенные гетеролазеры на основе InGaAsP/InP (${\lambda\simeq1.3}$ мкм), полученные гибридной технологией
    
    ЖТФ, 53:7 (1983),  1413–1414
16. Инжекционный лазер видимого диапазона с высокой яркостью
    
    Письма в ЖТФ, 9:10 (1983),  590–593
17. Влияние отражающих покрытий на пороговые характеристики инжекционных лазеров
    
    Письма в ЖТФ, 9:3 (1983),  137–139
18. Излучательные характеристики инжекционных лазеров с малой длиной резонатора
    
    Квантовая электроника, 10:2 (1983),  364–370
19. Согласование одномодовых световодов с полупроводниковыми лазерами
    
    Квантовая электроника, 9:11 (1982),  2197–2203
20. О температурной зависимости излучательных характеристик инжекционных лазеров на основе GaInPAs/InP
    
    Квантовая электроника, 9:9 (1982),  1902–1904
21. Перестраиваемая непрерывная генерация в диапазоне 1,3 мкм в гетеролазере на основе GalnPAs/lnP с внешним дисперсионным резонатором
    
    Квантовая электроника, 9:7 (1982),  1504–1506
22. Излучательные характеристики инжекционного лазера с зигзагообразной мезаполосковой гетероструктурой на основе AlGaAs/GaAs
    
    Квантовая электроника, 8:7 (1981),  1565–1567
23. Полупроводниковый лазер с накачкой электронным пучком, работающий при низких ускоряющих напряжениях
    
    Квантовая электроника, 8:5 (1981),  1128–1131
24. Интегральная пара РОС-генератор – усилитель на GaAs
    
    Квантовая электроника, 8:2 (1981),  250–255
25. Характеристики канального инжекционного гетеролазера
    
    Квантовая электроника, 8:1 (1981),  193–196