|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Продольное магнитосопротивление и осцилляции Шубникова$-$де Гааза у нитевидных монокристаллов Bi$_{1-x}$Sn$_{x}$ (${0\leqslant x\leqslant0.3}$ ат.%)
Физика твердого тела, 33:4 (1991), 1100–1112
-
Электронные фазовые переходы полупроводник$-$полуметалл в магнитном
поле у тонких монокристаллических нитей сплавов Bi$-$Sb
Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990), 2205–2208
-
Электрические и спектральные характеристики
структур Au${-}n$-TlSbS$_{2}$
Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990), 382–386
-
Оптические свойства монокристаллов $\mathrm{TlSbS}_2$
Докл. АН СССР, 306:1 (1989), 82–85
-
Инжекционный Фабри-Перо лазер с внутренними сильносвязанными
низкодобротными резонаторами
ЖТФ, 59:10 (1989), 132–134
-
Инжекционные лазеры на основе нитевидных кристаллов PbTe
Квантовая электроника, 16:4 (1989), 675–678
-
Особенности рекомбинационных процессов в кристаллах
$n$-TlSbSe$_{2}$
Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988), 152–154
-
Селективный прием оптической информации лазерным диодом
ЖТФ, 57:3 (1987), 586–588
-
Прямая регистрация формы линии усиления в инжекционных лазерах
ЖТФ, 57:1 (1987), 168–170
-
Влияние крупномасштабных флуктуаций распределения примеси
таллия на
удельное сопротивление нитей теллурида свинца
Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987), 1303–1305
-
Перестраиваемый сверхселективный приемник излучения на основе $Al\,Ga\,As$ лазера
Письма в ЖТФ, 12:13 (1986), 783–787
-
Изучение фоточувствительных свойств инжекционного лазера методом эффективного коэффициента усиления
Квантовая электроника, 13:9 (1986), 1785–1793
-
Анализ режима фотодетектирования
в инжекционных лазерных усилителях
ЖТФ, 55:9 (1985), 1773–1779
-
Продольное магнитосопротивление микронных нитевидных образцов висмута
Физика твердого тела, 25:10 (1983), 2960–2967
-
Квантовые осцилляции магнитотермоэдс и поверхность Ферми сплавов AsSb
Физика твердого тела, 25:7 (1983), 2189–2191
-
Особенности явлений переноса в кристаллах типа висмута
УФН, 113:2 (1974), 348–349
© , 2024