Архипов Владимир Иванович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Оценка размеров кластера в ассоциированных жидкостях по характерным временным масштабам ориентационной поляризации
   
   Известия высших учебных заведений. Поволжский регион. Физико-математические науки, 2010, № 3,  126–135
2. Кинетика дифракционной эффективности светоиндуцированных динамических решеток в слоях неупорядоченных полупроводников
   
   Квантовая электроника, 20:11 (1993),  1133–1136
3. Отклонение от закона Бугера при распространении светового сигнала в волокнах из халькогенидных стекол
   
   Физика и техника полупроводников, 25:12 (1991),  2222–2224
4. «Вспышечная» кинетика фотостимулированного оптического поглощения в стеклообразных полупроводниках
   
   Физика и техника полупроводников, 25:10 (1991),  1792–1796
5. Стимулированная полем диффузия в некристаллических полупроводниках в случае переменного поля
   
   Физика и техника полупроводников, 24:11 (1990),  2043–2046
6. О влиянии туннельной рекомбинации на квантовый выход фотогенерации носителей в неупорядоченных материалах
   
   Физика и техника полупроводников, 24:11 (1990),  1923–1928
7. Релаксационные процессы в структурах металл$-$аморфный полупроводник$-$металл
   
   Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990),  1618–1623
8. Дисперсионный транспорт в материалах с немонотонным энергетическим распределением локализованных состояний
   
   Физика и техника полупроводников, 23:6 (1989),  978–984
9. О механизме фотостимулированного поглощения света в волокнах из халькогенидных стекол
   
   Квантовая электроника, 16:5 (1989),  1067–1070
10. Пространственное распределение плотности носителей заряда при дрейфе в стеклообразном As$_{2}$Se$_{3}$
    
    Физика и техника полупроводников, 22:4 (1988),  723–727
11. Неравновесный фотодиэлектрический эффект в неупорядоченных материалах
    
    Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988),  544–547
12. Кинетика близнецовой рекомбинации в аморфных материалах в условиях поверхностной генерации пар
    
    Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988),  419–423
13. Формирование активационного барьера на контакте металл–аморфный полупроводник
    
    Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988),  276–281
14. Фотодиффузия носителей в полупроводниковых детекторах
    
    Письма в ЖТФ, 14:1 (1988),  83–86
15. Релаксация электретного состояния вещества в режиме дисперсионного транспорта
    
    Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987),  2121–2124
16. Полевая зависимость низкотемпературной кинетики парной рекомбинации в аморфных материалах
    
    Физика и техника полупроводников, 21:9 (1987),  1625–1630
17. Модель многократного захвата с учетом прямых переходов носителей между локализованными состояниями
    
    Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987),  1450–1453
18. Температурная зависимость кинетики парной рекомбинации в аморфных полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987),  1125–1132
19. Локализованные состояния, контролирующие перенос дырок в стеклообразном As$_{2}$Se$_{3}$
    
    Физика и техника полупроводников, 21:4 (1987),  724–727
20. Частотно-полевая диффузия в аморфных материалах
    
    Письма в ЖТФ, 13:13 (1987),  790–793
21. Исследование глубоких уровней захвата в слоях $a$-Se
    
    Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986),  2183–2187
22. Дисперсионный транспорт в условиях предельного заполнения локализованных состояний
    
    Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1309–1312
23. Особенности кинетики парной рекомбинации в аморфных материалах
    
    Физика и техника полупроводников, 20:3 (1986),  556–558
24. Кинетика неравновесной рекомбинации в аморфных полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  101–105
25. Особенности кинетики рекомбинации в аморфных полупроводниках
    
    ЖТФ, 53:4 (1983),  782–784
26. Влияние многократного захвата носителей на переходные фототоки в аморфных полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983),  1817–1822
27. О скейлинге кривых переходного фототока в аморфных материалах
    
    Письма в ЖТФ, 9:16 (1983),  971–974