Стругов Н А

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Линейки мощных полупроводниковых лазеров, изготовленных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 17:7 (1991),  31–34
2. Система диодной накачки АИГ${-}$Nd$^{3+}$ на основе InGaAsP/GaAs структур ($\text{Р}_{1.06}=320$ мВт, кпд 12%)
   
   Письма в ЖТФ, 15:24 (1989),  15–21
3. Спектральные характеристики InGAAsP/GaAs $\langle111\rangle$ ЖФЭ-лазеров ($\lambda=0.8$ мкм), предназначенных для накачки YAG : Nd$^{3+}$
   
   Письма в ЖТФ, 15:15 (1989),  45–49
4. Гранатовый чип-лазер с накачкой InGaAsP/GaAs-лазером
   
   Квантовая электроника, 16:12 (1989),  2423–2425
5. Квантово-размерные лазерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры, полученные МОС гидридным методом. Квантовый выход люминесценции и пороги генерации
   
   Физика и техника полупроводников, 22:12 (1988),  2111–2117
6. Квантово-размерные InGaAsP/GaAs (${\lambda=0.86\div0.78}$ мкм) лазеры раздельного ограничения (${J_{\text{п}}=100\,\text{А/см}^{2}}$, КПД${}=59$%)
   
   Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1031–1034
7. Свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия, легированных редкоземельными элементами
   
   Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  147–150
8. Мощный непрерывный InGaAsP/GaAs гетеролазер с диэлектрическим зеркалом ($I_{\text{nop}}=100\,\text{А/см}^{2}$, $P=1.1$ Вт, КПД = 66%, $T=10^{\circ}$С)
   
   Письма в ЖТФ, 14:8 (1988),  699–702
9. Непрерывный $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ ($\lambda=1.3$ мкм) лазер раздельного ограничения с мощностью 270 мВт ($T=20^{\circ}$C, $I=900$ мА, внешнее диэлектрическое зеркало)
   
   Письма в ЖТФ, 13:9 (1987),  552–557
10. Мощные $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ РО лазеры для ВОЛС ($\lambda=1,55$ мкм; $T=300$ K; $P=50$ мВт)
    
    Письма в ЖТФ, 13:9 (1987),  535–537
11. Видимые $In\,Ga\,As\,P/Ga\,As\,P$ РО ДГ лазеры, изготовленные методом жидкостной эпитаксии ($\lambda=0.65\div0.67$ мкм, $I_n=3\div0.8\,\text{кА}/\text{см}^{2}$; $P=5$ мВт, $\lambda=0.665$ мкм, $T=300$ K)
    
    Письма в ЖТФ, 13:6 (1987),  372–374