Алексанян А Г

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Лазерное нанесение и оптическое исследование тонких пленок Ga_xIn_1–xAs_ySb_1–y различного состава
   
   Квантовая электроника, 15:1 (1988),  181–183
2. Влияние электрон-фононного взаимодействия на инверсную населенность в полупроводниковых сверхрешетке и размерно-квантованной пленке в магнитном поле
   
   Квантовая электроника, 12:4 (1985),  837–839
3. Полупроводниковый лазер на переходах между уровнями размерного квантования с раздельными электронным и оптическим ограничениями
   
   Квантовая электроника, 11:9 (1984),  1885–1887
4. Квантовые размерные эффекты в периодической структуре InSb–GaAs и в пленках Ga_xln_1–xAs_ySb_1–y, полученных лазерным напылением
   
   Квантовая электроника, 11:6 (1984),  1264–1266
5. Полупроводниковый лазер на основе Вi_1–xSb_x
   
   Квантовая электроника, 11:3 (1984),  492–496
6. Генерация электромагнитных колебаний МБМБМ-структурами
   
   Квантовая электроника, 9:8 (1982),  1700–1702
7. О возможности создания перестраиваемого по частоте генератора на основе системы переходов металл – барьер – металл – барьер – металл
   
   Квантовая электроника, 8:5 (1981),  1069–1072
8. О генерации гармоник в переходах металл–барьер–металл
   
   Квантовая электроника, 8:2 (1981),  395–398
9. Полупроводниковый лазер с переходами между магнитоакустическими подзонами
   
   Квантовая электроника, 8:1 (1981),  185–188
10. Коэффициент усиления электромагнитного излучения полупроводника, помещенного в магнитное поле и в поле ультразвуковой волны
    
    Квантовая электроника, 6:8 (1979),  1786–1789
11. Полупроводниковый квантовый генератор на внутризонных переходах между магнитопленочными уровнями
    
    Квантовая электроника, 2:8 (1975),  1648–1653
12. Спектральная зависимость отрицательной фотопроводимости
    
    Квантовая электроника, 1:8 (1974),  1693–1699
13. К теории коэффициента усиления в полупроводниковых квантовых генераторах
    
    Квантовая электроника, 1:1 (1974),  62–68
14. О вычислении квазиуровней Ферми и характеристик спонтанного излучения в сильнолегированных полупроводниках
    
    Квантовая электроника, 1973, № 5(17),  117–119
15. Коэффициент усиления света в сильно легированных полупроводниках
    
    Квантовая электроника, 1972, № 2(8),  77–83
16. О влиянии концентрации примесей на пороговые характеристики полупроводниковых квантовых генераторов
    
    Квантовая электроника, 1971, № 3,  15–22