Исмаилов Исраилжон

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Инжекционные лазеры из варизонных GaInAsP/InP-гетероструктур
   
   Квантовая электроника, 20:3 (1993),  219–221
2. Ресурсные характеристики гетеролазеров коротковолнового диапазона на основе гетероструктур GalnAsP/lnP
   
   Квантовая электроника, 15:2 (1988),  283–285
3. Влияние анизотропной деформации на излучательные свойства инжекционных лазеров на основе GalnAsP/InP. II. Спектральные характеристики и обсуждение
   
   Квантовая электроника, 13:8 (1986),  1610–1616
4. Влияние анизотропной деформации на излучательные свойства инжекционных лазеров на основе GalnAsP/InP. I. Порог генерации, поляризация и ватт-амперная характеристика
   
   Квантовая электроника, 13:8 (1986),  1603–1609
5. Непрерывные инжекционные лазеры коротковолнового диапазона на основе InGaAsP/InP
   
   Квантовая электроника, 13:1 (1986),  170–171
6. Электроразрядный (стримерный) лазер на InP
   
   Квантовая электроника, 11:3 (1984),  611–613
7. Получение и исследование гетеролазеров на основе GalnPAs/lnP
   
   Квантовая электроника, 9:12 (1982),  2402–2406
8. Диодные имитаторы излучения твердотельных лазеров
   
   Квантовая электроника, 6:12 (1979),  2617–2618
9. Исследование гетеролазеров и светодиодов на основе InP/lnGaPAs, излучающих в диапазоне 1,0–1,2 мкм
   
   Квантовая электроника, 6:11 (1979),  2436–2439
10. О влиянии высоты потенциального барьера в гетеролазере на температурную зависимость порогового тока
    
    Квантовая электроника, 6:9 (1979),  1977–1983
11. Люминесценция кристалла пентафосфата неодима при возбуждении излучением люминесцентного диода
    
    Квантовая электроника, 5:4 (1978),  931–934
12. Характеристики гетеролазеров видимого диапазона на основе n-GaP_x As_1–x–pGa_1–yAl_yP_xAs_1–x
    
    Квантовая электроника, 4:8 (1977),  1821–1823
13. О влиянии сильного магнитного поля на излучение инжекционного лазера на основе InP
    
    Квантовая электроника, 3:11 (1976),  2511–2513
14. Исследование инжекционных гетеролазеров видимого диапазона на основе Al_xGa_1–xAs
    
    Квантовая электроника, 3:5 (1976),  1080–1084
15. Вынужденное излучение в однородном InP при возбуждении импульсами электрического поля
    
    Квантовая электроника, 3:3 (1976),  632–633
16. Характеристики диффузионных лазерных диодов на основе IпР и lnP_xAs_1–x
    
    Квантовая электроника, 2:4 (1975),  814–819
17. Инжекционный лазер на основе соединения lnP_0,92As_0,08
    
    Квантовая электроника, 1:8 (1974),  1875–1877