RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Хабибуллаев Пулат Киргизбаевич

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. О механизме формирования дальних участков крыльев деполяризованной компоненты молекулярного рассеяния света в жидкостях

    Докл. РАН, 354:5 (1997),  617–618
  2. О механизме экситонного свечения Гросса в полупроводнике $\mathrm{A}_3\mathrm{B}_5$, легированном изовалентными примесями

    Докл. РАН, 352:4 (1997),  470–471
  3. Амплитуды релаксационных процессов в критических бинарных растворах

    Докл. РАН, 345:6 (1995),  756–759
  4. Люминесценция кристаллического кварца, возбуждаемая излучением в ближнем УФ-диапазоне

    Докл. РАН, 342:3 (1995),  330–332
  5. Мицеллообразование как размытый фазовый переход первого рода в водных растворах ПАВ

    Докл. РАН, 341:6 (1995),  755–757
  6. Дифракционное поле защемленного по краю колеблющегося пьезодиска

    Докл. РАН, 340:1 (1995),  39–41
  7. Особенности изменения спектрально-кинетических характеристик люминесценции волоконного световода из кварцевого стекла марки КУВИ под воздействием $\gamma$-радиации

    Докл. РАН, 335:2 (1994),  170–172
  8. Электронно-стимулированный процесс мицеллообразования

    Докл. РАН, 332:5 (1993),  578–580
  9. Микроскопическая модель неустойчивого состояния расслаивающихся жидкостей

    Докл. РАН, 332:2 (1993),  164–166
  10. О релаксационном состоянии вблизи границы абсолютной неустойчивости при слабом возмущении

    Докл. РАН, 330:2 (1993),  188–190
  11. О расширении области абсолютной неустойчивости при слабом возмущении

    Докл. РАН, 324:6 (1992),  1183–1186
  12. Акустическая релаксация и фазовые переходы конечного типа

    Докл. РАН, 324:4 (1992),  789–793
  13. О новом эффекте уменьшения спектральной плотности частот в ультразвуковом резонаторе с вогнутыми пьезопреобразователями

    Докл. РАН, 323:4 (1992),  673–676
  14. Критические явления в нерасслаивающихся жидких системах

    Докл. РАН, 323:2 (1992),  274–277
  15. Лазерно-стимулированная диффузия золота в кремнии

    Физика и техника полупроводников, 26:7 (1992),  1282–1287
  16. Сингулярность теплоемкости при вынужденном спинодальном распаде

    Докл. АН СССР, 320:6 (1991),  1372–1374
  17. Сверхширокополосная люминесценция волоконных световодов. Численный эксперимент

    Докл. АН СССР, 320:6 (1991),  1355–1357
  18. К статистике электронного газа

    Докл. АН СССР, 316:6 (1991),  1386–1389
  19. К статистике фотонного газа

    Докл. АН СССР, 316:1 (1991),  100–103
  20. О долговечности волоконных световодов и влиянии на разрывную прочность скорости нагружения

    Докл. АН СССР, 315:4 (1990),  870–872
  21. Самоиндуцированное вращение плоскости поляризации лазерного излучения в резонансных средах

    Докл. АН СССР, 309:3 (1989),  607–611
  22. Радиационная стойкость редкоземельных скандий-алюминиевых гранатов

    Докл. АН СССР, 305:3 (1989),  581–583
  23. Диспергирование твердых тел в поверхностно-активных средах при лазерном воздействии

    ЖТФ, 59:6 (1989),  162–164
  24. Теплофизические процессы диффузионного электромассопереноса при термоокислении металлов, нагреваемых лазерным излучением

    ТВТ, 27:2 (1989),  282–286
  25. Ионизационно-стимулированное дефектообразование в легированном кремнии

    Докл. АН СССР, 299:2 (1988),  358–362
  26. Распространение солитона в жидком кристалле под действием магнитного поля

    Докл. АН СССР, 298:4 (1988),  841–843
  27. Термодинамические свойства кремния, легированного золотом

    Физика твердого тела, 30:7 (1988),  1979–1983
  28. Аномалии тепловых свойств кремния с примесью никеля

    Физика твердого тела, 30:4 (1988),  1205–1207
  29. Индуцированная внешним полем модуляция излучения в волоконном интерферометре Саньяка

    Квантовая электроника, 15:12 (1988),  2525–2527
  30. Статистика фотоотсчетов модулированного по интенсивности излучения, прошедшего многомодовый световод

    Квантовая электроника, 15:2 (1988),  390–392
  31. Нелинейная колебательная релаксация в молекулярном газе

    Докл. АН СССР, 297:6 (1987),  1366–1369
  32. Люминесценция локализованных экситонов в силикатных стеклах, возбуждаемых УФ-излучением в полосе прозрачности

    Докл. АН СССР, 297:1 (1987),  88–91
  33. Особенности спектра излучения рубинового лазера в поле электронного пучка

    Докл. АН СССР, 296:3 (1987),  595–598
  34. Резонансное возбуждение поверхностных акустических волн квазидвумерными локальными плазмонами

    Докл. АН СССР, 293:6 (1987),  1369–1371
  35. Резонансная лазерная ионизация паров рубидия. Конкуренция многофотонных и столкновительных процессов ионизации

    Докл. АН СССР, 292:2 (1987),  341–345
  36. О механизме резонансной ионизации атомов при нерезонансном возбуждении

    ЖТФ, 57:7 (1987),  1422–1423
  37. Поле электростатического энергоанализатора заряженных частиц, образованного двумя парами плоскопараллельных электродов, состыкованных под некоторым углом

    ЖТФ, 57:6 (1987),  1150–1152
  38. Исследование параметров уровней рения в кремнии методом DLTS

    Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987),  1404–1407
  39. Исследование фотоэффектов в кремнии, легированном скандием

    Физика и техника полупроводников, 21:7 (1987),  1198–1202
  40. Оптический эффект Керра в стеклянных волоконных световодах со слабым и сильным двулучепреломлением

    Квантовая электроника, 14:4 (1987),  822–826
  41. Исследование УФ-поглощения в кристаллах ГСГГ: $\mathrm{Cr}^{3+}$

    Докл. АН СССР, 289:2 (1986),  344–347
  42. Нелинейная динамика директора нематиков в переменном магнитном поле

    Докл. АН СССР, 288:6 (1986),  1347–1350
  43. Исследование дефектности структуры прозрачного диэлектрика по выходу многозарядных ионов

    Докл. АН СССР, 286:4 (1986),  857–860
  44. Диффузия и дрейф примесей в полупроводниках при облучении лазерным излучением

    Физика твердого тела, 28:12 (1986),  3725–3727
  45. Механизм радиационной тряски в структурно-неупорядоченных веществах

    Физика твердого тела, 28:10 (1986),  3132–3133
  46. Теплопроводность электронного и дырочного кремния, легированного никелем

    Физика твердого тела, 28:6 (1986),  1918–1920
  47. Теория экситон-дефектного превращения в диэлектриках

    Физика твердого тела, 28:2 (1986),  639–641
  48. Лазерное управление процессом изотермического окисления металла

    ЖТФ, 56:11 (1986),  2260–2262
  49. Влияние нейтронного облучения на неупругую релаксацию в кремнии, легированном палладием

    ЖТФ, 56:4 (1986),  793–794
  50. Исследование влияния лазерного воздействия на свойства кремния, легированного золотом

    Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  747–749
  51. Новая гипотеза радиационной стойкости неупорядоченных полупроводников

    Письма в ЖТФ, 12:21 (1986),  1320–1323
  52. Распределение дислокаций волнового фронта поля лазерного излучения, прошедшего волоконный световод

    Квантовая электроника, 13:5 (1986),  1042–1044
  53. Лазерное управление кинетикой гетерогенного окисления металлов

    Докл. АН СССР, 284:4 (1985),  838–840
  54. Влияние ионов хрома на образование центров окраски в кристаллах со структурой граната

    Докл. АН СССР, 282:5 (1985),  1104–1106
  55. Фазовые переходы и доменообразование в суперионных кристаллах

    Докл. АН СССР, 281:2 (1985),  320–323
  56. Влияние тепла реакции на развитие термохимической неустойчивости

    Физика горения и взрыва, 21:5 (1985),  57–60
  57. Краудионы — одномерные дефекты с отрицательной энергией корреляции

    Физика твердого тела, 27:11 (1985),  3477–3479
  58. Теплопроводность и температуропроводность кремния, легированного селеном и теллуром

    Физика твердого тела, 27:11 (1985),  3420–3422
  59. О радиационной наследственности дефектов структуры в кристаллах кварца, выращенных на нейтронно-облученных затравках

    ЖТФ, 55:9 (1985),  1837–1838
  60. Радиационное окрашивание монокристаллов нестехиометрических фаз M$_{1-x}$R$_{x}$F$_{2+x}$ с дефектной структурой типа флюорита

    ЖТФ, 55:6 (1985),  1150–1158
  61. Фотооэлектрические свойства кремния, компенсированного ртутью

    Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985),  1698–1701
  62. Ионизационно-стимулированный механизм миграции примесей в ионно-имплантированных полупроводниках

    Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985),  300–302
  63. Влияние отжига на неупругую релаксацию в кремнии, легированном палладием

    Физика твердого тела, 26:8 (1984),  2366–2369
  64. Исследование локализованных состояний в алмазоподобных полупроводниках методом функций Грина: точечные дефекты и комплексы из двух точечных дефектов в кремнии

    Физика твердого тела, 26:7 (1984),  2159–2165
  65. Влияние ионизирующего излучения на распад твердых растворов

    Физика и техника полупроводников, 18:5 (1984),  915–918
  66. О работе твердотельных лазеров при воздействии электронного пучка

    Квантовая электроника, 11:10 (1984),  2121–2126
  67. Ускорение электронов, образующихся при фокусировке лазерного излучения в газ

    Квантовая электроника, 11:6 (1984),  1123–1128
  68. Бистабильность при лазерном нагреве химически активных сред

    Квантовая электроника, 11:5 (1984),  923–932
  69. Акустические аномалии трифторида лантана в области фазовых переходов в суперионное состояние

    ТВТ, 22:3 (1984),  473–478
  70. Неупругая релаксация в кремнии, легированном палладием и иридием

    Докл. АН СССР, 272:4 (1983),  849–851
  71. Термо-эдс-механизм кинетики окисления металлов под действием лазерного излучения

    Докл. АН СССР, 268:4 (1983),  850–852
  72. ЯМР исследования в редкоземельных фторидах

    Физика твердого тела, 25:9 (1983),  2818–2820
  73. Магнитоэлектрические явления в поверхностном слое ферромагнетика, облучаемого световым импульсом

    ЖТФ, 53:8 (1983),  1635–1636
  74. Радиационное окрашивание кристаллов LiYF$_{4}$

    ЖТФ, 53:4 (1983),  803–805
  75. Исследование фотоэффектов в кремнии, легированном селеном

    Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983),  2035–2039
  76. О новом экситонном механизме образования дефектов Френкеля в ионных кристаллах

    Докл. АН СССР, 267:6 (1982),  1361–1363
  77. Влияние многофотонной ионизации на преобразование частоты в парах щелочных металлов

    Квантовая электроника, 9:12 (1982),  2386–2391
  78. Изменение поляризации излучения в кубических парамагнитных кристаллах

    Квантовая электроника, 9:2 (1982),  327–332
  79. Ориентационная релаксация в нематических жидких кристаллах при высоких давлениях и температурах

    ТВТ, 19:5 (1981),  949–953
  80. Теплофизические характеристики диффузии в кристаллической фазе кремния

    ТВТ, 18:4 (1980),  760–768

© МИАН, 2024