|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Эффективная ВУФ люминесценция димеров Xe$^{*}_{2}$
в несамостоятельном и самоподдерживающемся разрядах
Письма в ЖТФ, 14:11 (1988), 1049–1053
-
Испарение мишеней и формирование волн поглощения в воздухе под действием УФ лазерного излучения
Квантовая электроника, 15:12 (1988), 2568–2574
-
Структура поверхности мишеней и начальная стадия испарения под действием импульсов излучения KrF-лазера
Квантовая электроника, 15:12 (1988), 2560–2567
-
Усиление и поглощение в лазерах на 3p–3s-переходах неона в красной области спектра
Квантовая электроника, 15:8 (1988), 1541–1544
-
Фотоионизационно-рекомбинационный лазер с широкополосной ВУФ-накачкой сильноточным плазмодинамическим МПК-разрядом
Письма в ЖТФ, 13:4 (1987), 244–249
-
Основные механизмы образования инверсии на 3p–3s-переходах неона
Квантовая электроника, 14:12 (1987), 2389–2395
-
Генерация длительностью до 200 мкс в красной области спектра на переходах неона 3p–3s
Квантовая электроника, 14:3 (1987), 630–632
-
Колебательная релаксация состояния B молекулы ХеF*
Квантовая электроника, 14:2 (1987), 399–401
-
О возможности создания электроионизационной водородной лампы в ВУФ области спектра
Письма в ЖТФ, 12:10 (1986), 628–632
-
Роль фотоионизации при накачке эксимерным излучением лазера на молекуле $Xe\,F^{*}$
Письма в ЖТФ, 12:4 (1986), 197–201
-
Кинетика образования и тушения молекул Xe2F* при накачке эксимерным излучением
Квантовая электроника, 13:10 (1986), 2117–2119
-
Исследование УФ лазера на молекуле XeF* с накачкой эксимерным излучением
Квантовая электроника, 13:9 (1986), 1808–1814
-
Предельный удельный энерговклад в водород и роль VV-процессов
Квантовая электроника, 13:6 (1986), 1161–1168
-
Использование ионизаторов малой мощности для возбуждения активных сред эксимерных лазеров
Квантовая электроника, 13:4 (1986), 704–711
-
Формирование микрократеров на поверхности металла при облучении импульсами УФ лазерного излучения
Письма в ЖТФ, 11:23 (1985), 1413–1418
-
Мощный газовый лазер высокого давления в видимой области спектра на $3p-3s$ переходах атома неона
Письма в ЖТФ, 11:7 (1985), 435–438
-
О предельной величине энерговклада в $H_2$ при ЭИ-возбуждении
Письма в ЖТФ, 11:7 (1985), 413–416
-
Спектры люминесценции при возбуждении XeF2 излучением эксимеров Xe2* и Kr2*
Квантовая электроника, 12:7 (1985), 1425–1430
-
Квазинепрерывная генерация в фиолетовой области спектра на ионах N2 + в смеси He–N2–H2 высокого давления
Квантовая электроника, 12:6 (1985), 1327–1328
-
Мощный квазинепрерывный лазер высокого давления в видимой области спектра на p–s-nepeходах атома Ne
Квантовая электроника, 12:1 (1985), 228
-
Энергетические и спектральные характеристики непрерывного электроионизационного CO2-лазера с криогенным охлаждением рабочей смеси
Квантовая электроника, 12:1 (1985), 140–143
-
Экспериментальное исследование спектра излучения непрерывного электроионизационного СО-лазера
Квантовая электроника, 11:9 (1984), 1856–1859
-
Исследование C–A-перехода молекулы XeF* при накачке XeF2 эксимерным излучением
Квантовая электроника, 11:6 (1984), 1162–1167
-
Повышение энергетических характеристик и ресурса работы непрерывных
технологических CO$_{2}$-ЭИЛ за счет использования пятикомпонентных
лазерных смесей
Письма в ЖТФ, 9:20 (1983), 1224–1228
-
Спектр излучения лазера на переходе ${\text{XeF(B)}\to \text{XeF(X)}}$
при фотолитической накачке XeF$_{2}$
Письма в ЖТФ, 9:12 (1983), 757–760
-
Исследование энергетических характеристик непрерывного электроионизационного технологического СО-лазера с мощностью генерации 10 кВт
Квантовая электроника, 10:10 (1983), 2090–2092
-
Исследование характеристик разрядного XeCl*-лазера с ионизацией электронным пучком малой плотности
Квантовая электроника, 10:3 (1983), 643–646
-
Непрерывный технологический электроионизационный СО-лазер мощностью 10 кВт
Квантовая электроника, 9:12 (1982), 2357–2358
-
О возможности создания эксимерных лазеров с ионизацией внешним источником малой мощности
Квантовая электроника, 8:9 (1981), 1992–1994
-
Исследование светорассеяния и лучевой прочности оптических покрытий в УФ области спектра
Квантовая электроника, 7:3 (1980), 638–640
-
Кинетика образования эксимеров в лазерах на смесях инертных газов со фтором
Квантовая электроника, 6:5 (1979), 1010–1018
-
Лучевая прочность интерференционных покрытий в УФ области спектра, полученных электронно-лучевым испарением
Квантовая электроника, 5:9 (1978), 2027–2029
-
Лазер высокого давления в УФ области спектра на молекуле KrF
Квантовая электроника, 4:7 (1977), 1595–1597
-
Кинетическая модель УФ лазера на смеси Ar + N2
Квантовая электроника, 3:11 (1976), 2344–2350
-
Исследование лучевой прочности диэлектрических зеркал резонатора ксенонового лазера
Квантовая электроника, 3:8 (1976), 1817–1819
-
Кинетика инверсной населенности в активной среде лазера на молекулах ХеО*, излучающих в зеленой области спектра
Квантовая электроника, 3:8 (1976), 1727–1732
-
Особенности спектра излучения СО-лазера атмосферного давления
Квантовая электроника, 3:5 (1976), 1145–1147
-
Рекомбинационное излучение искусственных полупроводниковых алмазов
Докл. АН СССР, 220:3 (1975), 564–567
-
Ультрафиолетовый лазер высокого давления на смеси Ar + N2
Квантовая электроника, 2:10 (1975), 2238–2242
-
Экспериментальное исследование кинетики образования возбужденных молекул Xe2 в ОКГ на сжатом ксеноне
Квантовая электроника, 2:9 (1975), 1997–2002
-
Газовый лазер высокого давления в фиолетовой области спектра на ионах молекулярного азота
Квантовая электроника, 2:7 (1975), 1591–1593
-
Электроионизационный метод возбуждения генерации в вакуумной ультрафиолетовой области спектра на ксеноне
Квантовая электроника, 2:1 (1975), 28–36
-
Исследование лучевой прочности зеркал резонатора ксенонового лазера
Квантовая электроника, 1:12 (1974), 2650–2651
-
Перестраиваемый электроионизационный лазер на двуокиси углерода
Квантовая электроника, 1:9 (1974), 2015–2020
-
Коэффициент усиления активной среды электроионизационного лазера на двуокиси углерода
Квантовая электроника, 1973, № 3(15), 46–50
-
Поправки к статье: Кинетическая модель УФ лазера на смеси Ar+N2
Квантовая электроника, 4:1 (1977), 238
© , 2025