RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Керимов О М

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Эффективная ВУФ люминесценция димеров Xe$^{*}_{2}$ в несамостоятельном и самоподдерживающемся разрядах

    Письма в ЖТФ, 14:11 (1988),  1049–1053
  2. Испарение мишеней и формирование волн поглощения в воздухе под действием УФ лазерного излучения

    Квантовая электроника, 15:12 (1988),  2568–2574
  3. Структура поверхности мишеней и начальная стадия испарения под действием импульсов излучения KrF-лазера

    Квантовая электроника, 15:12 (1988),  2560–2567
  4. Усиление и поглощение в лазерах на 3p–3s-переходах неона в красной области спектра

    Квантовая электроника, 15:8 (1988),  1541–1544
  5. Фотоионизационно-рекомбинационный лазер с широкополосной ВУФ-накачкой сильноточным плазмодинамическим МПК-разрядом

    Письма в ЖТФ, 13:4 (1987),  244–249
  6. Основные механизмы образования инверсии на 3p–3s-переходах неона

    Квантовая электроника, 14:12 (1987),  2389–2395
  7. Генерация длительностью до 200 мкс в красной области спектра на переходах неона 3p–3s

    Квантовая электроника, 14:3 (1987),  630–632
  8. Колебательная релаксация состояния B молекулы ХеF*

    Квантовая электроника, 14:2 (1987),  399–401
  9. О возможности создания электроионизационной водородной лампы в ВУФ области спектра

    Письма в ЖТФ, 12:10 (1986),  628–632
  10. Роль фотоионизации при накачке эксимерным излучением лазера на молекуле $Xe\,F^{*}$

    Письма в ЖТФ, 12:4 (1986),  197–201
  11. Кинетика образования и тушения молекул Xe2F* при накачке эксимерным излучением

    Квантовая электроника, 13:10 (1986),  2117–2119
  12. Исследование УФ лазера на молекуле XeF* с накачкой эксимерным излучением

    Квантовая электроника, 13:9 (1986),  1808–1814
  13. Предельный удельный энерговклад в водород и роль VV-процессов

    Квантовая электроника, 13:6 (1986),  1161–1168
  14. Использование ионизаторов малой мощности для возбуждения активных сред эксимерных лазеров

    Квантовая электроника, 13:4 (1986),  704–711
  15. Формирование микрократеров на поверхности металла при облучении импульсами УФ лазерного излучения

    Письма в ЖТФ, 11:23 (1985),  1413–1418
  16. Мощный газовый лазер высокого давления в видимой области спектра на $3p-3s$ переходах атома неона

    Письма в ЖТФ, 11:7 (1985),  435–438
  17. О предельной величине энерговклада в $H_2$ при ЭИ-возбуждении

    Письма в ЖТФ, 11:7 (1985),  413–416
  18. Спектры люминесценции при возбуждении XeF2 излучением эксимеров Xe2* и Kr2*

    Квантовая электроника, 12:7 (1985),  1425–1430
  19. Квазинепрерывная генерация в фиолетовой области спектра на ионах N2 + в смеси He–N2–H2 высокого давления

    Квантовая электроника, 12:6 (1985),  1327–1328
  20. Мощный квазинепрерывный лазер высокого давления в видимой области спектра на p–s-nepeходах атома Ne

    Квантовая электроника, 12:1 (1985),  228
  21. Энергетические и спектральные характеристики непрерывного электроионизационного CO2-лазера с криогенным охлаждением рабочей смеси

    Квантовая электроника, 12:1 (1985),  140–143
  22. Экспериментальное исследование спектра излучения непрерывного электроионизационного СО-лазера

    Квантовая электроника, 11:9 (1984),  1856–1859
  23. Исследование CA-перехода молекулы XeF* при накачке XeF2 эксимерным излучением

    Квантовая электроника, 11:6 (1984),  1162–1167
  24. Повышение энергетических характеристик и ресурса работы непрерывных технологических CO$_{2}$-ЭИЛ за счет использования пятикомпонентных лазерных смесей

    Письма в ЖТФ, 9:20 (1983),  1224–1228
  25. Спектр излучения лазера на переходе ${\text{XeF(B)}\to \text{XeF(X)}}$ при фотолитической накачке XeF$_{2}$

    Письма в ЖТФ, 9:12 (1983),  757–760
  26. Исследование энергетических характеристик непрерывного электроионизационного технологического СО-лазера с мощностью генерации 10 кВт

    Квантовая электроника, 10:10 (1983),  2090–2092
  27. Исследование характеристик разрядного XeCl*-лазера с ионизацией электронным пучком малой плотности

    Квантовая электроника, 10:3 (1983),  643–646
  28. Непрерывный технологический электроионизационный СО-лазер мощностью 10 кВт

    Квантовая электроника, 9:12 (1982),  2357–2358
  29. О возможности создания эксимерных лазеров с ионизацией внешним источником малой мощности

    Квантовая электроника, 8:9 (1981),  1992–1994
  30. Исследование светорассеяния и лучевой прочности оптических покрытий в УФ области спектра

    Квантовая электроника, 7:3 (1980),  638–640
  31. Кинетика образования эксимеров в лазерах на смесях инертных газов со фтором

    Квантовая электроника, 6:5 (1979),  1010–1018
  32. Лучевая прочность интерференционных покрытий в УФ области спектра, полученных электронно-лучевым испарением

    Квантовая электроника, 5:9 (1978),  2027–2029
  33. Лазер высокого давления в УФ области спектра на молекуле KrF

    Квантовая электроника, 4:7 (1977),  1595–1597
  34. Кинетическая модель УФ лазера на смеси Ar + N2

    Квантовая электроника, 3:11 (1976),  2344–2350
  35. Исследование лучевой прочности диэлектрических зеркал резонатора ксенонового лазера

    Квантовая электроника, 3:8 (1976),  1817–1819
  36. Кинетика инверсной населенности в активной среде лазера на молекулах ХеО*, излучающих в зеленой области спектра

    Квантовая электроника, 3:8 (1976),  1727–1732
  37. Особенности спектра излучения СО-лазера атмосферного давления

    Квантовая электроника, 3:5 (1976),  1145–1147
  38. Рекомбинационное излучение искусственных полупроводниковых алмазов

    Докл. АН СССР, 220:3 (1975),  564–567
  39. Ультрафиолетовый лазер высокого давления на смеси Ar + N2

    Квантовая электроника, 2:10 (1975),  2238–2242
  40. Экспериментальное исследование кинетики образования возбужденных молекул Xe2 в ОКГ на сжатом ксеноне

    Квантовая электроника, 2:9 (1975),  1997–2002
  41. Газовый лазер высокого давления в фиолетовой области спектра на ионах молекулярного азота

    Квантовая электроника, 2:7 (1975),  1591–1593
  42. Электроионизационный метод возбуждения генерации в вакуумной ультрафиолетовой области спектра на ксеноне

    Квантовая электроника, 2:1 (1975),  28–36
  43. Исследование лучевой прочности зеркал резонатора ксенонового лазера

    Квантовая электроника, 1:12 (1974),  2650–2651
  44. Перестраиваемый электроионизационный лазер на двуокиси углерода

    Квантовая электроника, 1:9 (1974),  2015–2020
  45. Коэффициент усиления активной среды электроионизационного лазера на двуокиси углерода

    Квантовая электроника, 1973, № 3(15),  46–50

  46. Поправки к статье: Кинетическая модель УФ лазера на смеси Ar+N2

    Квантовая электроника, 4:1 (1977),  238


© МИАН, 2025