Соболев А Г

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Анализ оптического усиления при туннелировании электронов в квантоворазмерной полупроводниковой гетероструктуре
   
   Квантовая электроника, 15:8 (1988),  1595–1601
2. Об излучении поверхностных электромагнитных волн при резонансном туннелировании электронов
   
   Квантовая электроника, 14:10 (1987),  2108–2115
3. Излучение и поглощение поверхностных электромагнитных волн при столкновении электрона с границей металл–диэлектрик
   
   ЖТФ, 56:10 (1986),  1902–1908
4. Резонансное туннелирование в многослойных структурах в присутствии поверхностных электромагнитных волн
   
   Письма в ЖТФ, 12:8 (1986),  491–496
5. Стабильная светящаяся туннельная структура металл–окисел–прозрачное проводящее покрытие
   
   ЖТФ, 55:1 (1985),  226–228
6. Рассеяние поверхностных электромагнитных волн на границе металл – жидкий кристалл
   
   Квантовая электроника, 12:12 (1985),  2451–2455
7. Спектры свечения структур металл–барьер–металл
   
   Квантовая электроника, 12:10 (1985),  2161–2162
8. Диаграмма направленности свечения МБМ-диода
   
   Квантовая электроника, 12:5 (1985),  1110–1112
9. Возбуждение поверхностных плазменных колебаний и их излучение в структурах с пространственно-неоднородными граничными условиями
   
   Квантовая электроника, 10:9 (1983),  1927–1929
10. Исследование свечения структур металл – барьер – металл
    
    Квантовая электроника, 10:4 (1983),  729–735
11. Увеличение эффективности излучения поверхностных плазменных колебаний в структуре металл – барьер – металл – жидкий кристалл
    
    Квантовая электроника, 9:11 (1982),  2306–2307
12. Генерация электромагнитных колебаний МБМБМ-структурами
    
    Квантовая электроника, 9:8 (1982),  1700–1702
13. Исследование матричных управляемых транспарантов на основе ЦТСЛ-сегнетокерамики
    
    Квантовая электроника, 9:7 (1982),  1510–1512
14. Усиление поверхностных плазменных колебаний в сложных структурах металл–барьер–металл
    
    Квантовая электроника, 9:7 (1982),  1463–1464
15. Запись бинарных сигналов во внешнем голографическом запоминающем устройстве с помощью управляемого одномерного транспаранта на основе ЦТСЛ-керамики
    
    Квантовая электроника, 7:12 (1980),  2568–2572
16. Оптически управляемый транспарант на основе структуры сегнетокерамика – фотопроводник
    
    Квантовая электроника, 6:6 (1979),  1289–1295
17. Воздействие переменного электрического поля малой амплитуды на ЦТСЛ-керамику с «памятью»
    
    Квантовая электроника, 5:7 (1978),  1530–1534
18. Поперечный электрооптический эффект в матрично-адресуемом транспаранте на основе ЦТСЛ-керамики
    
    Квантовая электроника, 5:5 (1978),  1034–1042
19. Исследования по созданию матрично-адресуемого управляемого транспаранта на основе ЦТСЛ-керамики
    
    Квантовая электроника, 4:11 (1977),  2360–2366