Кижаев К Ю

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Управление протяженностью переходных слоев при жидкофазной гетероэпитаксии (ЖФГЭ) в системе InGaAsP/InP
   
   ЖТФ, 60:3 (1990),  123–128
2. Особенности заращивания профилированной поверхности волновода в InGaAsP/InP лазерах с РОС
   
   Письма в ЖТФ, 16:8 (1990),  5–9
3. Особенности генерации в InGaAsP/InР РОС-лазерах с сильной расслойкой
   
   Письма в ЖТФ, 14:3 (1988),  267–273
4. Непрерывные инжекционные гетеролазеры с распределенной обратной связью в системе InGaAsP (λ = 1,55 мкм)
   
   Квантовая электроника, 15:11 (1988),  2196–2198
5. Пичковый режим в гетеролазерах с распределенной обратной связью
   
   Письма в ЖТФ, 13:10 (1987),  601–604
6. Мощные $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ РО лазеры для ВОЛС ($\lambda=1,55$ мкм; $T=300$ K; $P=50$ мВт)
   
   Письма в ЖТФ, 13:9 (1987),  535–537
7. Гетеролазеры с распределенной обратной связью ($\lambda=1.55$ мкм), работающие в непрерывном режиме при комнатной температуре
   
   Письма в ЖТФ, 13:9 (1987),  513–517
8. Особенности временных характеристик излучения $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ инжекционных лазеров с квантоворазмерным активным слоем, полученных жидкостной эпитаксии
   
   Письма в ЖТФ, 13:3 (1987),  141–146
9. Уширение переходных слоев в гетероструктурах на основе твердых растворов $In\,Ga\,As\,P$, обусловленное упругими напряжениями
   
   Письма в ЖТФ, 13:3 (1987),  132–136
10. Экспериментальное наблюдение эффектов размерного квантования в гетеролазерных структурах со случайными изменениями толщины квантово-размерного активного слоя
    
    Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1222–1226
11. Образование переходных слоев в гетероструктурах на основе твердых растворов $Ga\,As-Al\,As$ в процессе жидкостной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 12:6 (1986),  335–341
12. Низкопороговые $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ лазеры раздельного ограничения с $\lambda=1.3$ мкм и $\lambda=1.55$ мкм ($I_{\text{пор.}}=600-700\,\text{А/см}^{2}$)
    
    Письма в ЖТФ, 12:4 (1986),  210–215
13. Влияние случайных изменений толщины квантоворазмерного активного слоя на излучательные характеристики гетеролазеров
    
    Письма в ЖТФ, 12:4 (1986),  205–210
14. Эпитаксия $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ из перемещаемого ограниченного объема жидкой фазы
    
    Письма в ЖТФ, 11:16 (1985),  961–968