Куксенков Д В

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Генерация пикосекундных (${\tau=1.7}$ пс) импульсов излучения в InGaAsP/InP (${\lambda=1.535}$ мкм) гетеролазере со сверхбыстрым насыщающимся поглотителем
   
   Письма в ЖТФ, 18:3 (1992),  38–41
2. Скоростные свойства InGaAsP/InP ($\lambda=1.55$ мкм) РОС-лазеров с коротковолновой расслойкой
   
   Письма в ЖТФ, 16:21 (1990),  61–65
3. Особенности заращивания профилированной поверхности волновода в InGaAsP/InP лазерах с РОС
   
   Письма в ЖТФ, 16:8 (1990),  5–9
4. Инжекционные гетеролазеры с РОС в системе InGaAsSb/GaSb
   
   Письма в ЖТФ, 16:2 (1990),  58–62
5. Влияние области насыщающегося поглотителя на характеристики InGaAsP/InP РОС-лазеров с сильной коротковолновой расстройкой
   
   Письма в ЖТФ, 15:17 (1989),  47–51
6. Генерация и регистрация пикосекундных оптических импульсов в InGaAsP/InP ($\lambda=1.5{-}1.6$ мкм) лазерах с пассивной модуляцией добротности
   
   Письма в ЖТФ, 15:13 (1989),  6–9
7. Внутренняя генерация второй гармоники в InGaAsP/InP ($\lambda= 1.55$ мкм) лазерах с раздельным ограничением
   
   Письма в ЖТФ, 15:9 (1989),  67–72
8. РОС — генерация в InGaAsP/InP ($\lambda=1. 5{-}1.6$ мкм) лазерах с составным активным слоем
   
   Письма в ЖТФ, 14:12 (1988),  1082–1088
9. Особенности генерации в InGaAsP/InР РОС-лазерах с сильной расслойкой
   
   Письма в ЖТФ, 14:3 (1988),  267–273
10. Непрерывные инжекционные гетеролазеры с распределенной обратной связью в системе InGaAsP (λ = 1,55 мкм)
    
    Квантовая электроника, 15:11 (1988),  2196–2198
11. Пичковый режим в гетеролазерах с распределенной обратной связью
    
    Письма в ЖТФ, 13:10 (1987),  601–604
12. Гетеролазеры с распределенной обратной связью ($\lambda=1.55$ мкм), работающие в непрерывном режиме при комнатной температуре
    
    Письма в ЖТФ, 13:9 (1987),  513–517
13. Особенности временных характеристик излучения $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ инжекционных лазеров с квантоворазмерным активным слоем, полученных жидкостной эпитаксии
    
    Письма в ЖТФ, 13:3 (1987),  141–146