RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Смирницкий Владимир Борисович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Управление протяженностью переходных слоев при жидкофазной гетероэпитаксии (ЖФГЭ) в системе InGaAsP/InP

    ЖТФ, 60:3 (1990),  123–128
  2. Скоростные свойства InGaAsP/InP ($\lambda=1.55$ мкм) РОС-лазеров с коротковолновой расслойкой

    Письма в ЖТФ, 16:21 (1990),  61–65
  3. Особенности заращивания профилированной поверхности волновода в InGaAsP/InP лазерах с РОС

    Письма в ЖТФ, 16:8 (1990),  5–9
  4. Влияние области насыщающегося поглотителя на характеристики InGaAsP/InP РОС-лазеров с сильной коротковолновой расстройкой

    Письма в ЖТФ, 15:17 (1989),  47–51
  5. Генерация и регистрация пикосекундных оптических импульсов в InGaAsP/InP ($\lambda=1.5{-}1.6$ мкм) лазерах с пассивной модуляцией добротности

    Письма в ЖТФ, 15:13 (1989),  6–9
  6. Внутренняя генерация второй гармоники в InGaAsP/InP ($\lambda= 1.55$ мкм) лазерах с раздельным ограничением

    Письма в ЖТФ, 15:9 (1989),  67–72
  7. РОС — генерация в InGaAsP/InP ($\lambda=1. 5{-}1.6$ мкм) лазерах с составным активным слоем

    Письма в ЖТФ, 14:12 (1988),  1082–1088
  8. Особенности генерации в InGaAsP/InР РОС-лазерах с сильной расслойкой

    Письма в ЖТФ, 14:3 (1988),  267–273
  9. Непрерывные инжекционные гетеролазеры с распределенной обратной связью в системе InGaAsP (λ = 1,55 мкм)

    Квантовая электроника, 15:11 (1988),  2196–2198
  10. Гетероэпитаксиальные волноводы $Al_{x}\,Ga_{1-x}\,P$ с параболическим профилем показателя преломления для гибридных интегрально-оптических систем

    Письма в ЖТФ, 13:18 (1987),  1098–1103
  11. Низкопороговые инжекционные гетеролазеры с электрическим ограничением, полученным с помощью импульсного лазерного воздействия

    Письма в ЖТФ, 13:15 (1987),  913–918
  12. Пичковый режим в гетеролазерах с распределенной обратной связью

    Письма в ЖТФ, 13:10 (1987),  601–604
  13. Гетеролазеры с распределенной обратной связью ($\lambda=1.55$ мкм), работающие в непрерывном режиме при комнатной температуре

    Письма в ЖТФ, 13:9 (1987),  513–517
  14. Особенности временных характеристик излучения $In\,Ga\,As\,P/In\,P$ инжекционных лазеров с квантоворазмерным активным слоем, полученных жидкостной эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 13:3 (1987),  141–146
  15. Экспериментальное наблюдение эффектов размерного квантования в гетеролазерных структурах со случайными изменениями толщины квантово-размерного активного слоя

    Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1222–1226
  16. Показатель преломления твердых растворов $Ga\,In\,As\,P$ на длине волны лазерной генерации

    Письма в ЖТФ, 12:13 (1986),  827–831
  17. Инжекционные гетеролазеры $Jn\,Ga\,As\,P/Jn\,P$ ($\lambda=1.5$ мкм) с распределенной обратной связью, полученные с использованием жидкофазной и газовой эпитаксий

    Письма в ЖТФ, 12:5 (1986),  296–300
  18. Влияние случайных изменений толщины квантоворазмерного активного слоя на излучательные характеристики гетеролазеров

    Письма в ЖТФ, 12:4 (1986),  205–210
  19. Инжекционный гетеролазер InGaAsP/InP с РОС, полученной интерференционным лазерным отжигом

    ЖТФ, 55:10 (1985),  2034–2036
  20. Вогнутые дифракционные решетки на поверхности монокристаллов

    Письма в ЖТФ, 11:19 (1985),  1172–1175
  21. О плавлении графита и алмаза при воздействии наносекундных лазерных импульсов

    Письма в ЖТФ, 11:15 (1985),  921–924
  22. Концентрирующие голографические дифракционные решетки II. Экспериментальные результаты

    ЖТФ, 54:10 (1984),  1948–1955
  23. Концентрирующие топографические дифракционные решетки I. Теория

    ЖТФ, 54:10 (1984),  1942–1947
  24. Генерация когерентного излучения и особенности волноводного ограничения в гетероструктурах GaSb$-$Ga$_{1-x}$In$_{x}$Bb$_{1-y}$As$_{y}$

    Письма в ЖТФ, 10:17 (1984),  1081–1085
  25. Поляризационные эффекты в гетеролазерах с распределенной обратной связью

    ЖТФ, 53:8 (1983),  1560–1567
  26. « Горячее» ионное легирование $p$-InSb серой (свойства $n{-}p$-переходов)

    Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983),  1923–1925
  27. Интерференционный лазерный отжиг полупроводников

    Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983),  235–241
  28. Полупроводниковый лазер (${\lambda=1.55}$ мкм) с распределенной обратной связью в первом порядке, полученной импульсным лазерным отжигом

    Письма в ЖТФ, 9:21 (1983),  1294–1297
  29. Полупроводниковая волноводная гетероструктура монолитно-интегрированная с оптической схемой интерференционной засветки

    Письма в ЖТФ, 9:17 (1983),  1047–1050
  30. Перестраиваемые полупроводниковые лазеры с распределенной обратной связью и накачкой инжекционным гетеролазером

    Письма в ЖТФ, 9:17 (1983),  1043–1046
  31. Эпитаксиальная кристаллизация напыленных слоев кремния на подложках GaP в условиях интерференционного лазерного отжига

    Письма в ЖТФ, 9:14 (1983),  850–853

© МИАН, 2024