Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Жидкофазное эпитаксиальное выращивание лазерных структур GalnAsP/lnP
Квантовая электроника, 15:11 (1988), 2266–2269
-
Высокоэффективные InGaAsP/lnP-гетероструктуры диапазона 1,3 мкм, полученные «двухфазным» жидкофазным методом
Квантовая электроника, 15:11 (1988), 2262–2265
-
Связь положения p-n-перехода с пороговым током полосковых лазеров, работающих в области 1,3 мкм
Квантовая электроника, 15:11 (1988), 2210–2213
© , 2024