Кнауэр А

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Неоднородности легирования и поведение компенсации легирования в GaAs и InP n-типа
   
   Квантовая электроника, 15:11 (1988),  2301–2303
2. Зависимость интенсивности фотолюминесценции от качества подготовки поверхности и свойств InP n-типа
   
   Квантовая электроника, 15:11 (1988),  2276–2279
3. Расчет выхода лазерных диодов по характеристикам материала подложки (100) InP, используемого для эпитаксиального выращивания ДГС
   
   Квантовая электроника, 15:11 (1988),  2273–2275