RUS
ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ
Линке Д
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
Расчет выхода лазерных диодов по характеристикам материала подложки (100) InP, используемого для эпитаксиального выращивания ДГС
Квантовая электроника
,
15
:11 (1988),
2273–2275
©
МИАН
, 2024
