Ершов А В

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Модификация структурно-морфологических свойств германия в многослойной нанопериодической структуре Al$_{2}$O$_{3}$/Ge с промежуточными слоями Si при отжиге
   
   Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021),  882–889
2. Влияние оптического излучения на резистивное переключение в МДП-структурах на основе пленок ZrO$_{2}$(Y) с наночастицами Au
   
   Физика и техника полупроводников, 55:9 (2021),  754–757
3. Электрические и фотоэлектрические свойства многослойных наноструктур $\alpha$-Si/SiO$_{2}$ и $\alpha$-Ge/SiO$_{2}$ на подложках $p$-Si, отожженных при разных температурах
   
   Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1112–1116
4. Квантовые точки “ядро–оболочка” Ge/Si в матрице оксида алюминия: влияние температуры отжига на оптические свойства
   
   Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020),  129–137
5. Химический и фазовый состав многослойных нанопериодических структур $a$-SiO$_{x}$/ZrO$_{2}$, подвергнутых высокотемпературному отжигу
   
   Физика твердого тела, 59:6 (2017),  1183–1191
6. Влияние температуры осаждения и отжига на люминесценцию германиевых нанокристаллов, сформированных в пленках GeO$_{x}$ и многослойных структурах Ge/SiO$_{2}$
   
   Физика твердого тела, 59:5 (2017),  965–971
7. Формирование нанокристаллов кремния в многослойных нанопериодических структурах $a$-SiO$_{x}$/диэлектрик по результатам синхротронных исследований
   
   Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  363–366
8. Метод уменьшения ширины диаграммы направленности InGaAs/GaAs/AlGaAs многоямного гетеролазера
   
   Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1509–1512
9. Полупроводниковые лазеры на длину волны 980 нмс широкими туннельно-связанными волноводами
   
   Квантовая электроника, 26:3 (1999),  217–218
10. Полупроводниковые лазеры на длину волны 0.98 мкмс выходом излучения через подложку
    
    Квантовая электроника, 25:7 (1998),  622–624
11. Электрические и оптические свойства полупроводника $a$-Si$_{1-x}$Ge$_{x}$
    
    Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1288–1291