Плотников А Ф

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Новая оптоэлектронная реверсивная запоминающая среда (обзор)
   
   Квантовая электроника, 14:3 (1987),  437–451
2. Новая реверсивная запоминающая оптоэлектронная среда
   
   Квантовая электроника, 14:1 (1987),  190–192
3. Фотолюминесценция аморфного нитрида кремния
   
   Письма в ЖТФ, 12:1 (1986),  10–13
4. О температурной зависимости энергии активации проводимости некристаллических полупроводников
   
   Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  156–158
5. Переходные процессы в МНОП структурах и их связь с нестабильностью электрических характеристик приборов
   
   ЖТФ, 53:6 (1983),  1089–1095
6. МДП-элемент памяти с оптическим управлением
   
   Квантовая электроника, 8:12 (1981),  2707–2710
7. Регистрация света с помощью МДП-структуры, работающей в режиме лавинного умножения
   
   Квантовая электроника, 8:4 (1981),  785–792
8. Самостабилизированный лавинный процесс в структуре металл – диэлектрик – полупроводник (МДП). Лавинные МДП-фотоприемники
   
   УФН, 134:4 (1981),  748–750
9. Электронные процессы в структурах маталл – нитрид кремния – двуокись кремния – полупроводник (МНОП)
   
   УФН, 134:4 (1981),  747–748
10. Оптоэлектронное оперативное запоминающее устройство на основе МНОП-структуры и лазерной ЭЛТ
    
    Квантовая электроника, 7:7 (1980),  1585–1588
11. Линейка лавинных МДП-фотоприемников
    
    Квантовая электроника, 5:11 (1978),  2482–2484
12. О возможности создания импульсного лавинного фотоприемника с устойчивым внутренним усилением на основе МДП-структуры
    
    Квантовая электроника, 5:9 (1978),  1918–1923
13. О возможности использования МДП-структур на основе гетероструктур GaP–GaAs для оптической обработки информации
    
    Квантовая электроника, 4:3 (1977),  678–681
14. Исследование разрешающей способности пленок EuO при записи голографической информации
    
    Квантовая электроника, 4:3 (1977),  669–672
15. Оптически управляемый элемент памяти на основе МНОП-структуры с подложкой из арсенида галлия
    
    Квантовая электроника, 3:9 (1976),  2078–2080
16. Голографическая запись информации на пленках EuO
    
    Квантовая электроника, 3:9 (1976),  2076–2078
17. Импульсный лавинный фотоприемник на МДП-структуре
    
    Квантовая электроника, 2:12 (1975),  2624–2626
18. Считывание оптической информации с МДП-структуры электронным пучком
    
    Квантовая электроника, 2:12 (1975),  2617–2620
19. Реверсивная запись оптической информации на структурах металл – диэлектрик – полупроводник
    
    Квантовая электроника, 2:9 (1975),  2013–2018
20. Фотоэлектрическое считывание информации, записанной на МНОП-структуре
    
    Квантовая электроника, 2:3 (1975),  508–512
21. Исследование разрешающей способности структур металл – нитрид – окисел – полупроводник при записи и считывании оптической информации
    
    Квантовая электроника, 1:10 (1974),  2291–2293
22. Перераспределение напряжения в структуре металл – нитрид кремния – окись кремния – кремний под действием света лазера
    
    Квантовая электроника, 1:8 (1974),  1885–1888


23. Памяти Бенциона Моисеевича Вула
    
    УФН, 149:2 (1986),  349–350
24. Бенцион Моисеевич Вул (К восьмидесятилетию со дня рождения)
    
    УФН, 140:1 (1983),  161–162
25. Николай Геннадиевич Басов (К шестидесятилетию со дня рождения)
    
    УФН, 138:4 (1982),  683–684