Берковиц Владимир Леонидович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Оптические и электронные свойства пассивированных поверхностей InP(001)
   
   Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  644–648
2. Спектроскопия анизотропного отражения света от металлических нанокластеров, сформированных на поверхности полупроводника
   
   Письма в ЖЭТФ, 98:10 (2013),  687–692
3. Анизотропия оптического отражения арсенида галлия в области края фундаментального поглощения
   
   Физика и техника полупроводников, 26:7 (1992),  1264–1268
4. Потенциальные барьеры на поверхности $n$- и $p$-GaAs (100): кинетика движения поверхностного уровня Ферми при химической обработке
   
   Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991),  1406–1413
5. Исследование в сканирующем туннельном микроскопе поверхности арсенида галлия, пассивированной в водном растворе Na$_{2}$S
   
   Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991),  379–384
6. Изгиб зон в арсениде галлия при формировании омического контакта (омические исследования)
   
   Физика и техника полупроводников, 24:6 (1990),  1031–1037
7. Влияние приповерхностного электрического поля на анизотропию оптического отарежения поверхности (110) арсенида галлия
   
   Физика и техника полупроводников, 24:2 (1990),  353–358
8. Оптическое исследование закрепления уровня Ферми на поверхности (110) полупроводниковых соединений A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$
   
   Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  66–71
9. Спектры оптических переходов между собственными электронными состояниями чистой поверхности (110) соединений A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$
   
   Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987),  433–436
10. Окисление чистой поверхности $Ga\,As(110)$ и закрепление уровня Ферми
    
    Письма в ЖТФ, 13:13 (1987),  800–804
11. Оптическое обнаружение низкотемпературной физи- и хемисорбциии кислорода на чистой поверхности $Ga\,As (110)$
    
    Письма в ЖТФ, 13:12 (1987),  709–713
12. Анизотропия оптического отражения кубических полупроводников, обусловленная поверхностным изгибом зон
    
    Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986),  1037–1041