Ярошецкий И Д

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Экситонная рекомбинация в GaAs, индуцируемая неравновесными акустическими фононами
   
   Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991),  67–72
2. Узкополосные селективные фотоприемники на основе структур Шоттки
   
   Письма в ЖТФ, 16:6 (1990),  72–75
3. Линейный фотогальванический эффект в $p$-GaAs в классической области частот
   
   Физика твердого тела, 31:1 (1989),  115–117
4. Об области применения малоинерционных охлаждаемых до ${T=77}$ K детекторов субмиллиметрового излучения на основе $n$-InSb
   
   ЖТФ, 59:5 (1989),  111–113
5. Влияние тонкого диэлектрического слоя на свойства ПЭВ на границе металл$-$полупроводник
   
   Физика и техника полупроводников, 23:11 (1989),  1966–1970
6. Энергетическая релаксация и транспорт электронов и дырок в короткопериодичных полупроводниковых сверхрешетках
   
   Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989),  1564–1567
7. Особенности рассеяния коротких световых импульсов на светоиндуцированных решетках в кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989),  1512–1514
8. Исследование релаксации энергии и захвата носителей заряда при фотоионизации примесных центров в $p$-GaAs
   
   Физика и техника полупроводников, 23:6 (1989),  947–953
9. Резонансные явления в структурах Шоттки при возбуждении «медленных» поверхностных электромагнитных волн
   
   Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989),  461–465
10. Точечный быстродействующий фотоприемник лазерного субмиллиметрового излучения
    
    Письма в ЖТФ, 15:8 (1989),  8–10
11. Генерация акустических фононов при индуцированной рекомбинации связанных экситонов в CdS
    
    Физика твердого тела, 30:3 (1988),  751–755
12. Линейный фотогальванический эффект в полупроводниках в субмиллиметровой области спектра
    
    Физика твердого тела, 30:3 (1988),  730–736
13. О возможности реализации инверсной населенности спиновых подуровней Ландау в $n$-InSb при интенсивном субмиллиметровом возбуждении
    
    Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1045–1048
14. Влияние распределения поля поверхностного поляритона в системе диэлектрик–металл–полупроводник на фотоответ полупроводника
    
    Физика и техника полупроводников, 22:5 (1988),  906–910
15. Быстродействующий измеритель поляризационных характеристик импульсного лазерного ИК и субмиллиметрового излучения
    
    Письма в ЖТФ, 14:14 (1988),  1326–1329
16. Резонансная электролюминесценция структуры металл$-$полупроводник с гофрированной поверхностью
    
    Письма в ЖТФ, 14:8 (1988),  757–760
17. Внутризонная фотопроводимость, обусловленная легкими дырками и разогревом носителей в $p$-Ge при субмиллиметровом лазерном возбуждении
    
    Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987),  1011–1015
18. Нелинейное поглощение субмиллиметрового излучения в германии, обусловленное разогревом носителей заряда светом
    
    Физика и техника полупроводников, 21:6 (1987),  1005–1010
19. Резонансное подавление зеркального отражения при возбуждении поверхностных электромагнитных волн на неметаллических периодических структурах
    
    Письма в ЖТФ, 13:11 (1987),  693–697
20. Фотоответ структуры металл–полупроводник при возбуждении поверхностных поляритонов светом TE-поляризации
    
    Письма в ЖТФ, 13:5 (1987),  261–265
21. Электрон-фононное взаимодействие в спектрах люминесценции связанного экситона в CdS
    
    Физика твердого тела, 28:12 (1986),  3595–3602
22. Нелинейное поглощение света в $p$-Ge в ИК области спектра
    
    Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986),  1180–1183
23. Влияние оптических констант полупроводника на положение поляритонного пика фотоответа диодов Шоттки
    
    Письма в ЖТФ, 12:18 (1986),  1145–1149
24. Сдвиг частоты и изменение спектра пикосекундных световых импульсов при их рассеянии на светоиндуцированных решетках в полупроводниках
    
    Квантовая электроника, 13:4 (1986),  847–849
25. Ударная ионизация экситонов и мелких примесей в арсениде галлия в скрещенных электрическом и магнитном полях
    
    Физика и техника полупроводников, 19:12 (1985),  2173–2176
26. Воздействие импульсного лазерного излучения пикосекундной длительности на поверхность германия
    
    Письма в ЖТФ, 11:20 (1985),  1251–1257
27. Фотоответ структуры полупроводник – металл, связанный с возбуждением поверхностных поляритонов
    
    Письма в ЖТФ, 11:19 (1985),  1162–1165
28. Малоинерционный неохлаждаемый приемник лазерного излучения дальнего ИК- и субмиллиметрового диапазона
    
    Письма в ЖТФ, 11:15 (1985),  913–915
29. Электронно-оптическая регистрация свечения газового разряда в полупроводниковых фотографических системах и преобразователях изображения ионизационного типа
    
    Письма в ЖТФ, 11:4 (1985),  215–217
30. Фотоприемники на основе эффекта увлечения носителей тока фотонами для дальней ИК и субмиллиметровой области спектра
    
    Письма в ЖТФ, 11:1 (1985),  46–48
31. Сдвиг частоты и уширение спектра пикосекундных световых импульсов при их распространении в полупроводниках
    
    Письма в ЖТФ, 11:1 (1985),  34–38
32. Диффузия неравновесной электронно-дырочной плазмы в магнитном поле и ее проявление в рекомбинационном излучении полупроводников
    
    Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984),  1233–1236
33. Увлечение носителей тока фотонами в условиях многофотонного поглощения субмиллиметрового излучения в дырочном германии
    
    Физика и техника полупроводников, 18:2 (1984),  266–269
34. Явление увлечения носителей тока фотонами в полупроводниках в дальней ИК и субмиллиметровой области спектра
    
    Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983),  698–703
35. Низкопороговое устройство для пассивной синхронизации мод импульсных ИК лазеров
    
    Квантовая электроника, 9:2 (1982),  323–327
36. Сверхмалоинерционный неохлаждаемый фотоприемник на основе внутризонной μ-фотопроводимости
    
    Квантовая электроника, 5:6 (1978),  1386–1389
37. Приборы для регистрации излучения импульсных ИК лазеров на основе эффекта увлечения светом носителей заряда в полупроводниках
    
    Квантовая электроника, 4:1 (1977),  95–102
38. О разрушениях, вызываемых лазерным пучком в прозрачных диэлектриках
    
    Докл. АН СССР, 169:5 (1966),  1041–1043


39. Памяти Соломона Мееровича Рывкина
    
    УФН, 135:4 (1981),  719–720