RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Сырбу А В

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Динамически одночастотные (AlGa)As квантоворазмерные лазеры с низким порогом генерации

    Письма в ЖТФ, 17:24 (1991),  99–102
  2. Зарощенные AlGaAs квантоворазмерные лазерные диоды, полученные комбинированием методов мосгидридной и жидкофазной эпитаксии

    Письма в ЖТФ, 17:22 (1991),  100–103
  3. Бистабильный оптический усилитель на основе InGaAsP/InP гетероструктур

    Письма в ЖТФ, 17:11 (1991),  30–32
  4. AlGaAs квантоворазмерные лазерные диоды с градиентным волноводом, полученные низкотемпературной жидкофазной эпитаксией

    Письма в ЖТФ, 17:4 (1991),  58–62
  5. Электрофизические характеристики низкопорогового ($I_{n}=1.3$ мА, $T=300$ K) квантоворазмерного AlGaAs, лазерного диода с зарощенной гетероструктурой, полученные НЖФЭ

    Письма в ЖТФ, 17:3 (1991),  4–8
  6. AlGaAs одночастотные квантоворазмерные лазерные диоды с пороговым током генерации 1мА, полученные ЖФЭ

    Письма в ЖТФ, 16:19 (1990),  32–35
  7. Излучательные и электрические характеристики одномодовых квантоворазмерных AlGaAs лазеров, полученных методом НЖЭ

    Письма в ЖТФ, 16:15 (1990),  60–64
  8. Емкостные характеристики зарощенных квантоворазмерных AlGaAs лазеров, полученных методом НЖЭ

    Письма в ЖТФ, 16:15 (1990),  56–59
  9. Оптический усилитель прямого действия на основе InGaAs гетероструктур

    Письма в ЖТФ, 16:10 (1990),  83–86
  10. Сверхнизкопороговые ($I_{n}=1.3$ мА, $T=300$ K) квантоворазмерные AlGaAs лазеры без отражающих покрытий зеркал, полученные ЖФЭ

    Письма в ЖТФ, 16:9 (1990),  41–44
  11. Низкопороговые (${I_{\text{п}}=3.0}$ мА, ${T=300}$ K) квантоворазмерные AlGaAs лазерные диоды с зарощенной гетероструктурой, полученные ЖФЭ

    Письма в ЖТФ, 16:5 (1990),  66–71
  12. Влияние переохлаждения раствора-расплава на параметры слоев InGaAsP (${\lambda_{g}=1.3}$ мкм)

    ЖТФ, 59:5 (1989),  127–130
  13. Особенности жидкофазного роста Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As ($x=0.2{-}0.3$) при низкой температуре

    Письма в ЖТФ, 15:9 (1989),  50–54
  14. Селективный прием оптической информации лазерным диодом

    ЖТФ, 57:3 (1987),  586–588
  15. Прямая регистрация формы линии усиления в инжекционных лазерах

    ЖТФ, 57:1 (1987),  168–170
  16. Перестраиваемый сверхселективный приемник излучения на основе $Al\,Ga\,As$ лазера

    Письма в ЖТФ, 12:13 (1986),  783–787
  17. Изучение фоточувствительных свойств инжекционного лазера методом эффективного коэффициента усиления

    Квантовая электроника, 13:9 (1986),  1785–1793
  18. Поглощение света в волноводах с варизонным слоем из твердого раствора в системе (GaAl)As

    Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984),  479–483

© МИАН, 2024