Дружинина Л В

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Инжекционный лазер на InGaSbAs с длиной волны 2,4 мкм (300 K)
   
   Квантовая электроника, 13:10 (1986),  2119–2120
2. Инжекционные лазеры на основе InGaSbAs с длиной волны 1,9–2,3 мкм, работающие при комнатной температуре
   
   Квантовая электроника, 12:6 (1985),  1309–1311
3. Оптические свойства Ga$_{x}$In$_{1-x}$As$_{y}$Sb$_{1-y}$
   
   Физика твердого тела, 26:1 (1984),  145–150
4. Свойства инжекционных гетеролазеров на основе AlGaAsSb/GaSb в диапазоне длин волн 1,4—1,8 мкм
   
   Квантовая электроника, 7:1 (1980),  91–96
5. Инжекционный гетеролазер на основе четырехкомпонентного твердого раствора InGaAsSb
   
   Квантовая электроника, 5:3 (1978),  703–704
6. Эффективная генерация полупроводникового лазера на основе Ga_xln_1–xAs_ySb_1–y в спектральном диапазоне 1,8–2,4 мкм при комнатной температуре
   
   Квантовая электроника, 5:1 (1978),  126–128
7. Спонтанное и стимулированное излучение твердых растворов Ga_xIn_1–xAs, GaAs_xSb_1–x и Ga_xIn_1–xAs_1–yP_y
   
   Квантовая электроника, 3:11 (1976),  2490–2494
8. Исследование инжекционных гетеролазеров видимого диапазона на основе Al_xGa_1–xAs
   
   Квантовая электроника, 3:5 (1976),  1080–1084
9. Люминесценция и лазерный эффект в Ga_xln_1–xAs_ySb_1–y
   
   Квантовая электроника, 3:4 (1976),  932–934
10. Новый неохлаждаемый инжекционный гетеролазер в диапазоне 1,5–1,8 мкм
    
    Квантовая электроника, 3:2 (1976),  465–466
11. Гетеролазеры на основе твердых растворов Ga_xIn_1–xAs_yP_1–y и Al_xGa_1–xSb_yAs_1–y
    
    Квантовая электроника, 1:10 (1974),  2294–2295
12. Параметры лазеров на Al_xGa_1–xAs с электронной накачкой в видимой области спектра
    
    Квантовая электроника, 1:1 (1974),  178–180