Скрипкин В А

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Инжекционный лазер на InGaSbAs с длиной волны 2,4 мкм (300 K)
   
   Квантовая электроника, 13:10 (1986),  2119–2120
2. Низкопороговые инжекционные лазеры на основе зарощенных гетероструктур GaInPAs/InP (1.2$-$1.6 мкм)
   
   ЖТФ, 54:3 (1984),  551–557
3. Инжекционные лазеры на основе InGaAs/InP с пороговой плотностью тока 0,5 кА/см² при 300 K
   
   Квантовая электроника, 11:4 (1984),  645–646
4. Инжекционные лазеры на основе InGaAsP/lnP с трехслойным волноводом
   
   Квантовая электроника, 11:3 (1984),  631–633
5. Непрерывные инжекционные лазеры в диапазоне 1,5–1,6 мкм
   
   Квантовая электроника, 9:9 (1982),  1749
6. Свойства инжекционных гетеролазеров на основе AlGaAsSb/GaSb в диапазоне длин волн 1,4—1,8 мкм
   
   Квантовая электроника, 7:1 (1980),  91–96