Кузнецов В И

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Джозефсоновские контакты Nb$-$SiC$-$Nb
   
   Письма в ЖТФ, 17:6 (1991),  29–32
2. Влияние деформационных напряжений границы раздела Si$-$SiO$_{2}$ на образование и отжиг радиационных дефектов в кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 24:3 (1990),  517–520
3. Накопление и отжиг основных компенсирующих радиационных дефектов в $p$-Si$\langle\text{Ge}\rangle$
   
   Физика и техника полупроводников, 23:8 (1989),  1492–1495
4. Акустическая регистрация удержания фотовозбужденной невырожденной электронно-дырочной плазмы вблизи поверхности германия
   
   Физика и техника полупроводников, 23:2 (1989),  366–369
5. Особенности образования радиационных дефектов в кремнии, легированном германием
   
   Физика и техника полупроводников, 22:12 (1988),  2223–2226
6. Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988),  499–502
7. Энергия активации термической ионизации радиационных дефектов в дислокационном кремнии
   
   Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  345–347
8. Нелинейный режим оптического возбуждения релеевских волн в кремнии; термоупругий и концентрационно-деформационный механизм
   
   Письма в ЖТФ, 12:17 (1986),  1067–1071
9. Перестраиваемый лазер на АИГ:Nd³⁺ с дифракционной решеткой скользящего падения
   
   Квантовая электроника, 12:1 (1985),  219–220
10. Развитие неустойчивости в диоде Пирса вдали от порога возбуждения
    
    ЖТФ, 54:8 (1984),  1512–1520
11. Особенности образования и отжига радиационных дефектов в Si из-за взаимодействия их с поверхностью
    
    Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984),  1007–1010
12. Высокоэффективное параметрическое преобразование частоты света в широкоапертурных кристаллах, выращенных методом скоростного роста
    
    Квантовая электроника, 11:9 (1984),  1701–1702
13. Расчет нелинейных самосогласованных колебаний в кнудсеновском диоде с поверхностной ионизацией. Исследование функции распределения ионов по скоростям
    
    ЖТФ, 53:12 (1983),  2329–2338
14. Влияние условий облучения и примесного состава кремния на параметры областей скопления дефектов
    
    Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983),  1902–1904
15. Исследование магнитооптических эффектов в области колебательных резонансов молекул с помощью параметрических генераторов света
    
    Квантовая электроника, 6:2 (1979),  349–351
16. Исследование резонансных нелинейных восприимчивостей молекул с помощью перестраиваемого параметрического генератора света ИК диапазона
    
    Квантовая электроника, 5:1 (1978),  189–192
17. Импульсно-периодический параметрический генератор света, перестраиваемый в диапазоне 0,63–3,4 мкм, для нелинейной спектроскопии
    
    Квантовая электроника, 4:10 (1977),  2225–2233