Молочев В И

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Асимметрия некоторых характеристик перестраиваемых инжекционных лазеров с внешним резонатором
   
   Квантовая электроника, 8:9 (1981),  1925–1934
2. Запись и считывание информации излучением инжекционных лазеров для голографических запоминающих устройств
   
   Квантовая электроника, 7:8 (1980),  1826–1827
3. Методы определения тепловых характеристик инжекционных полупроводниковых лазеров
   
   Квантовая электроника, 7:1 (1980),  155–169
4. Инжекционные полупроводниковые лазеры в системах корреляционной обработки информации
   
   Квантовая электроника, 6:11 (1979),  2460–2463
5. Исследование условий согласования полупроводниковых излучателей с тонкопленочными планарными и полосковыми волноводами
   
   Квантовая электроника, 6:10 (1979),  2262–2264
6. Исследование поляризации излучения одноканальных инжекционных лазеров
   
   Квантовая электроника, 6:8 (1979),  1789–1792
7. Влияние ширины активной области инжекционных полупроводниковых лазеров на основе GaAs на одночастотный режим генерации
   
   Квантовая электроника, 6:4 (1979),  797–802
8. Когерентность излучения одночастотных инжекционных лазеров
   
   Квантовая электроника, 5:6 (1978),  1384–1386
9. Излучательные характеристики одноканального инжекционного лазера на основе GaAs
   
   Квантовая электроника, 5:1 (1978),  211–214
10. Фунциональные элементы интегрально-оптических схем на основе эпитаксиальных GaAlAs–GaAs-гетероструктур
    
    Квантовая электроника, 4:9 (1977),  2007–2009
11. Одночастотный инжекционный полупроводниковый лазер на основе GaAs
    
    Квантовая электроника, 4:8 (1977),  1815–1816
12. Исследование ширины линии излучения инжекционного лазера в сильном и слабом полях
    
    Квантовая электроника, 3:1 (1976),  222–223
13. Моноимпульсная голография на инжекционных лазерах
    
    Квантовая электроника, 1:1 (1974),  217–219
14. Временные характеристики в лазерах с двойным гетеропереходом
    
    Квантовая электроника, 1:1 (1974),  191–193
15. Одноканальный инжекционный лазер с областью свечения в несколько микрон
    
    Квантовая электроника, 1973, № 6(18),  117–119
16. Прохождение импульсов света через двухкомпонентную полупроводниковую среду
    
    Квантовая электроника, 1972, № 7,  89–92
17. Временные характеристики инжекционных лазеров на основе гетероструктур
    
    Квантовая электроника, 1971, № 6,  110–112
18. Оптическое взаимодействие инжекционных лазеров при неоднородном возбуждении
    
    Квантовая электроника, 1971, № 2,  25–31