Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Полупроводниковый лазер с перестраиваемой длиной волны излучения на основе четверных соединений $Ga_xIn_{1-x}As_ySb_{1-y}$
Квантовая электроника, 7:3 (1980), 644–646
-
О механизмах генерации лазерного излучения в эпитаксиальном InAs при электронном возбуждении
Квантовая электроника, 6:7 (1979), 1401–1408
-
Эффективная генерация полупроводникового лазера на основе Gaxln1–xAsySb1–y в спектральном диапазоне 1,8–2,4 мкм при комнатной температуре
Квантовая электроника, 5:1 (1978), 126–128
-
Полупроводниковые лазеры с накачкой электронным пучком на In As и PbxSn1–xSe
Квантовая электроника, 3:10 (1976), 2302–2303
-
Стимулированное излучение InAs при электронном возбуждении
Квантовая электроника, 3:7 (1976), 1601–1605
-
Люминесценция и лазерный эффект в Gaxln1–xAsySb1–y
Квантовая электроника, 3:4 (1976), 932–934
© , 2024