RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Гусаков Г М

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. О природе точечных дефектов в GaAs, возникающих при импульсном лазерном облученииB

    Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991),  369–372
  2. Рост периодических структур на поверхности германия при воздействии импульсного лазерного излучения

    Квантовая электроника, 18:12 (1991),  1477–1480
  3. Низкотемпературная динамика коэффициента отражения полупроводников в условиях наносекундного лазерного облучения

    ЖТФ, 60:9 (1990),  136–138
  4. Влияние импульсного лазерного облучения на профиль подвижности и проводимости эпитаксиальных слоев GaAs

    Физика и техника полупроводников, 23:10 (1989),  1864–1868
  5. Влияние многократного импульсного лазерного облучения на морфологию поверхности германия

    Письма в ЖТФ, 13:3 (1987),  170–174
  6. Аномальное поведение оптических параметров кремния при импульсном лазерном нагреве

    Письма в ЖТФ, 13:3 (1987),  166–170
  7. Измерение комплексного показателя преломления кремния в процессе импульсного лазерного отжига

    Письма в ЖТФ, 12:3 (1986),  175–179
  8. Низкочастотная стабильность лазера на АИГ:Nd3+

    Квантовая электроника, 12:7 (1985),  1548–1550


© МИАН, 2024