Галченков Д В

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Решетка лазеров на основе многопроходной $p{-}n$-гетероструктуры
   
   Письма в ЖТФ, 14:23 (1988),  2140–2144
2. Определение высоты потенциального барьера в гетеропереходах с двумерным электронным газом
   
   Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987),  1522–1524
3. Лазерная ЭЛТ мощностью 5 Вт с дифференциальной эффективностью 14% при 300 K
   
   Письма в ЖТФ, 13:11 (1987),  689–693
4. Двумерный электронный газ с высокой подвижностью в специально нелегированных гетероструктурах GaAs$-$Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As, выращенных методом жидкофазной эпитаксии
   
   Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985),  333–336
5. Влияние глубоких примесных уровней на пороговые характеристики лазеров на основе $n$-Ga$_{1-x}$Al$_x$As с накачкой электронным пучком
   
   Квантовая электроника, 11:4 (1984),  833–835
6. Изменение концентации носителей при перестройке зонной структуры в твердых растворах Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As, легированных теллуром и оловом
   
   Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983),  1748–1751
7. Двумерный электронный газ и анизотропия явлений переноса в гетероструктуре GaAs$-$Al$_{s}$Ga$_{1-x}$As
   
   Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983),  288–293
8. Управление излучением инжекционных источников света с помощью электронного пучка
   
   Квантовая электроника, 8:5 (1981),  1126–1128
9. Влияние легирования Ga_0,68Al_0,32As на катодолюминесценцию и пороговую плотность тока лазера с накачкой электронным пучком
   
   Квантовая электроника, 8:1 (1981),  201–204
10. Полупроводниковый лазер с поперечной накачкой электронным пучком на основе многослойных гетероструктур в системе $GaAs-AlAs$
    
    Квантовая электроника, 7:6 (1980),  1209–1212
11. Полупроводниковый лазер с накачкой электронным пучком на основе многослойных гетероструктур Ga_1–xln_xAs_1–ySb_y
    
    Квантовая электроника, 3:1 (1976),  94–100