|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Управление излучением инжекционных источников света с помощью электронного пучка
Квантовая электроника, 8:5 (1981), 1126–1128
-
Влияние легирования Ga0,68Al0,32As на катодолюминесценцию и пороговую плотность тока лазера с накачкой электронным пучком
Квантовая электроника, 8:1 (1981), 201–204
-
Полупроводниковый лазер с поперечной накачкой электронным пучком на основе многослойных гетероструктур в системе $GaAs-AlAs$
Квантовая электроника, 7:6 (1980), 1209–1212
-
Стимулированное излучение InAs при электронном возбуждении
Квантовая электроника, 3:7 (1976), 1601–1605
-
Полупроводниковый лазер с накачкой электронным пучком на основе многослойных гетероструктур
Ga1–xlnxAs1–ySby
Квантовая электроника, 3:1 (1976), 94–100
-
Параметры лазера с электронной накачкой на арсениде галлия с двойным легированием
Квантовая электроника, 1:11 (1974), 2399–2406
-
Волноводная структура резонатора в полупроводниковом лазере с накачкой электронным пучком
Квантовая электроника, 1972, № 2(8), 61–68
-
Волноводная структура резонатора в полупроводниковом лазере с накачкой электронным пучком
Докл. АН СССР, 201:6 (1971), 1316–1318
© , 2024