Шевченко Е Г

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Низкопороговые инжекционные лазеры на основе зарощенных гетероструктур GaInPAs/InP (1.2$-$1.6 мкм)
   
   ЖТФ, 54:3 (1984),  551–557
2. Инжекционные лазеры на основе InGaAs/InP с пороговой плотностью тока 0,5 кА/см² при 300 K
   
   Квантовая электроника, 11:4 (1984),  645–646
3. Инжекционные лазеры на основе InGaAsP/lnP с трехслойным волноводом
   
   Квантовая электроника, 11:3 (1984),  631–633
4. О температурной зависимости излучательных характеристик инжекционных лазеров на основе GaInPAs/InP
   
   Квантовая электроника, 9:9 (1982),  1902–1904
5. Непрерывные инжекционные лазеры в диапазоне 1,5–1,6 мкм
   
   Квантовая электроника, 9:9 (1982),  1749
6. О модовом составе излучения мезаполосковыx GalnPAs/InP гетеролазеров, зарощенных InP или GalnPAs
   
   Квантовая электроника, 8:9 (1981),  1994–1996
7. Гетеролазеры $GaInPAs/InP$ на основе зарощенной мезаполосковой структуры, работающие в непрерывном режиме при комнатной температуре на длине волны 1,24-1,28 мкм
   
   Квантовая электроника, 7:9 (1980),  1990–1992
8. Высокоэффективные светодиоды на основе GalnPAs/lnP
   
   Квантовая электроника, 5:11 (1978),  2488–2489
9. Спонтанное и стимулированное излучение твердых растворов Ga_xIn_1–xAs, GaAs_xSb_1–x и Ga_xIn_1–xAs_1–yP_y
   
   Квантовая электроника, 3:11 (1976),  2490–2494
10. Гетеролазеры на основе твердых растворов Ga_xIn_1–xAs_yP_1–y и Al_xGa_1–xSb_yAs_1–y
    
    Квантовая электроника, 1:10 (1974),  2294–2295
11. Сравнение мгновенного и усредненного спектров излучения инжекционного лазера в режиме самопроизвольных пульсаций
    
    Квантовая электроника, 1971, № 5,  93–95