Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Инжекционные лазеры на основе InGaAsP/lnP с трехслойным волноводом
Квантовая электроника, 11:3 (1984), 631–633
-
О модовом составе излучения мезаполосковыx GalnPAs/InP гетеролазеров, зарощенных InP или GalnPAs
Квантовая электроника, 8:9 (1981), 1994–1996
-
Ресурсные характеристики гетероструктур GalnPAs/InP
Квантовая электроника, 8:9 (1981), 1985–1987
-
Гетеролазеры $GaInPAs/InP$ на основе зарощенной мезаполосковой структуры, работающие в непрерывном режиме при комнатной температуре на длине волны 1,24-1,28 мкм
Квантовая электроника, 7:9 (1980), 1990–1992
© , 2024