RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Левинштейн Михаил Ефимович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Локальная диагностика спиновых дефектов в облученных SiC-диодах Шоттки

    Письма в ЖЭТФ, 120:5 (2024),  367–373
  2. Влияние температуры протонного облучения на характеристики мощных высоковольтных карбид-кремниевых диодов Шоттки

    Письма в ЖТФ, 46:6 (2020),  35–37
  3. Влияние протонного облучения (15 МэВ) на низкочастотный шум мощных SiC MOSFETs

    Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1604–1608
  4. Влияние облучения электронами высокой энергии на характеристики ударных токов высоковольтных интегрированных 4$H$-SiC $p$–$n$-диодов Шоттки

    Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1448–1452
  5. Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)

    УФН, 189:8 (2019),  803–848
  6. Переходной процесс выключения 4$H$-SiC биполярного транзистора из режима глубокого насыщения

    Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1243–1248
  7. Вольт-амперные характеристики диодов Шоттки при больших плотностях тока в условиях инжекции неосновных носителей

    Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1125–1130
  8. О пределе инжектирующей способности кремниевых $p^{+}$–$n$-переходов, обусловленном влиянием фундаментальных физических эффектов

    Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017),  830–834
  9. Анализ влияния неодномерных эффектов на отпирающий ток управления тиристорных структур на основе 4$H$-SiC

    Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017),  234–239
  10. Изотермические вольт-амперные характеристики высоковольных 4$H$-SiC JBS-диодов Шоттки

    Физика и техника полупроводников, 50:5 (2016),  668–673
  11. Высоковольтный тиристор на основе карбида кремния с блокирующей базой $n$-типа

    Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016),  408–414
  12. Шум $1/f$, электрические и фотоэлектрические свойства GaAs, подвергнутого облучению ионами высокой энергии

    Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992),  543–547
  13. О разнице между статической и динамической силами трения

    Письма в ЖТФ, 18:5 (1992),  42–46
  14. Природа объемного шума $1/f$ в GaAs и Si (обзор)

    Физика и техника полупроводников, 25:12 (1991),  2065–2104
  15. Температурная зависимость низкочастотного шума в структурно совершенном и подвергнутом деструктивному сжанию GaAs

    Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991),  355–358
  16. Релаксация фотопроводимости и шум $1/f$ в GaAs, подвергнутом деструктивному сжатию

    Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991),  164–167
  17. Влияние деструктивного одноосного сжатия на шум $1/f$ в GaAs

    Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990),  1807–1815
  18. Исследование долговременной релаксации фотопроводимости в Si в связи с проблемой шума $1/f$

    Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990),  1531–1538
  19. Кинетика спада долговременно́й фотопроводимости в GaAs и модель объемного шума $1/f$ в полупроводниках

    Физика и техника полупроводников, 24:5 (1990),  836–843
  20. Эффект немонотонной зависимости шума $1/f$ от интенсивности подсветки в Si и модель объемного шума $1/f$ в полупроводниках

    Физика и техника полупроводников, 24:5 (1990),  813–820
  21. Шум $1/f$ и долговременная релаксация фотопроводимости в GaAs

    Физика и техника полупроводников, 23:10 (1989),  1828–1833
  22. Модель объемного шума $1/f$ в лавинно-пролетных диодах

    Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989),  1187–1192
  23. Модель объемного шума $1/f$ в полупроводниках

    Физика и техника полупроводников, 23:2 (1989),  283–291
  24. Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых $p{-}n$-переходах

    Физика и техника полупроводников, 22:9 (1988),  1574–1579
  25. Исследование субнаносекундного включения арсенид-галлиевых тиристорных структур

    Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1134–1137
  26. Подавление светом шума $1/f$ в кремнии

    Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1120–1122
  27. Перестройка светом шума $1/f$ в арсениде галлия

    Физика и техника полупроводников, 22:6 (1988),  1049–1052
  28. Влияние температуры на перестройку светом шума $1/f$ в GaAs

    Письма в ЖТФ, 14:21 (1988),  1978–1982
  29. Визуализация процесса субнаносекундного переключения арсенидгаллиевых диодных структур

    Письма в ЖТФ, 14:16 (1988),  1526–1530
  30. Об отрицательном температурном коэффициенте напряжения пробоя в карбидкремниевых $p{-}n$ переходах

    Письма в ЖТФ, 14:6 (1988),  545–547
  31. Распространение включенного состояния в арсенид-галлиевых тиристорах

    Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  129–133
  32. О шнуровании тока в карбидкремниевых Р-П-переходах при пробое

    Письма в ЖТФ, 13:12 (1987),  741–743
  33. Подавление светом шума $1/f$ в арсениде галлия

    Письма в ЖТФ, 13:11 (1987),  645–648
  34. Сравнительное исследование процесса включения арсенидгаллиевых и кремниевых тиристоров

    ЖТФ, 56:7 (1986),  1343–1347
  35. Шум $1/f$ горячих электронов в GaAs

    Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985),  1651–1656
  36. Высокочастотная проводимость Ga$_{x}$In$_{1-x}$Sb в сильных электрических полях

    Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  131–133
  37. Динамическая локализация тока в переходном процессе включения тиристоров

    ЖТФ, 54:1 (1984),  124–130
  38. Особенности неустойчивости в условиях отрицательной дифференциальной проводимости при наличии двух сортов носителей

    Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984),  1577–1582
  39. Распространение включенного состояния в GaAs тиристорах большой площади

    Письма в ЖТФ, 10:23 (1984),  1430–1433
  40. Сильноточный быстродействующий коммутатор на основе GaAs динисторной структуры

    Письма в ЖТФ, 10:7 (1984),  385–388
  41. Основные параметры включения арсенид-галлиевых тиристоров

    ЖТФ, 53:3 (1983),  573–575
  42. Шум $1/f$ в условиях сильного геометрического магнитосопротивления

    Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983),  1830–1834
  43. Исследование процесса переключения обратно смещенного $p{-}n$-перехода в высокопроводящее состояние с помощью моделировани на ЭВМ

    Физика и техника полупроводников, 17:10 (1983),  1812–1816
  44. Распространение включенного состояния в арсенидгаллиевых тиристорах

    Письма в ЖТФ, 9:9 (1983),  546–549
  45. Лазер на парах меди с поперечным разрядом, коммутируемым полупроводниковыми переключателями со световым управлением

    Квантовая электроника, 10:1 (1983),  186–189
  46. Многоканальный полупроводниковый коммутатор наносекундного диапазона для возбуждения паров меди поперечным разрядом

    Квантовая электроника, 8:1 (1981),  191–193

  47. Первый международный симпозиум по исследованию перспективных полупроводниковых приборов (ISDRS-91)

    Физика и техника полупроводников, 26:6 (1992),  1153–1155

© МИАН, 2024