Петрушенко Ю В

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Лазеры с электронным возбуждением на гетероэпитаксиальном селениде цинка, полученном из элементоорганических соединений
   
   Квантовая электроника, 10:5 (1983),  1007–1009
2. Влияние легирования Ga_0,68Al_0,32As на катодолюминесценцию и пороговую плотность тока лазера с накачкой электронным пучком
   
   Квантовая электроника, 8:1 (1981),  201–204
3. Отпаянный сканирующий полупроводниковый лазер с поперечной накачкой электронным пучком
   
   Квантовая электроника, 6:2 (1979),  354–357
4. Спонтанное и стимулированное излучение твердых растворов Ga_xIn_1–xAs, GaAs_xSb_1–x и Ga_xIn_1–xAs_1–yP_y
   
   Квантовая электроника, 3:11 (1976),  2490–2494
5. Спектральные и мощностные характеристики лазеров с электронным возбуждением на антимониде галлия
   
   Квантовая электроника, 3:10 (1976),  2205–2214
6. Полупроводниковый квантовый генератор с электронной на качкой на основе Al_xGa_1–xSb
   
   Квантовая электроника, 2:1 (1975),  68–72
7. Исследование фотолюминесценции и параметров лазерного излучения при электронном возбуждении легированных твердых растворов Al$_x$Ga$_{1-x}$As
   
   Квантовая электроника, 1:12 (1974),  2602–2607
8. Влияние дефектов структуры кристаллов на излучательную рекомбинацию арсенида галлия
   
   Квантовая электроника, 1:3 (1974),  673–675
9. Параметры лазеров на Al_xGa_1–xAs с электронной накачкой в видимой области спектра
   
   Квантовая электроника, 1:1 (1974),  178–180
10. КГС-3 – лазер с электронной накачкой на антимониде галлия
    
    Квантовая электроника, 1:1 (1974),  114–118