|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru
-
Генерация терагерцового излучения при фемтосекундном лазерном возбуждении многослойной структуры на основе a-Si:H/a-SiC:H/c-Si
Письма в ЖЭТФ, 116:12 (2022), 825–829
-
Электрические и фотоэлектрические свойства многослойных наноструктур $\alpha$-Si/SiO$_{2}$ и $\alpha$-Ge/SiO$_{2}$ на подложках $p$-Si, отожженных при разных температурах
Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1112–1116
-
Отрицательные электроды для литий-ионных аккумуляторов, полученные фотоанодированием кремния солнечной градации
ЖТФ, 89:5 (2019), 711–716
-
Линейный фотогальванический эффект в $p$-GaAs в классической области частот
Физика твердого тела, 31:1 (1989), 115–117
-
Линейный фотогальванический эффект в полупроводниках в субмиллиметровой области спектра
Физика твердого тела, 30:3 (1988), 730–736
-
Нелинейное поглощение света в $p$-Ge в ИК области спектра
Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986), 1180–1183
-
Низкопороговое устройство для пассивной синхронизации мод импульсных ИК лазеров
Квантовая электроника, 9:2 (1982), 323–327
-
Сверхмалоинерционный неохлаждаемый фотоприемник на основе внутризонной μ-фотопроводимости
Квантовая электроника, 5:6 (1978), 1386–1389
© , 2024