Черноусов Н П

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Спонтанные торцевые InGaAsP/InP ДГС излучатели (${\gamma=1.3}$ мкм) для ВОЛС диаметром $50$ мкм
   
   ЖТФ, 55:4 (1985),  807–809
2. Светодиоды с волоконным выходом на длину волны излучения $1.3$ мкм
   
   Письма в ЖТФ, 11:3 (1985),  132–135
3. Перестраиваемая непрерывная генерация в диапазоне 1,3 мкм в гетеролазере на основе GalnPAs/lnP с внешним дисперсионным резонатором
   
   Квантовая электроника, 9:7 (1982),  1504–1506
4. К вопросу о прогнозировании надежности гетеролазеров на основе Ga_1–xAl_xAs–GaAs
   
   Квантовая электроника, 8:6 (1981),  1336–1338
5. Оптимизация температурного интервала при ускоренных испытаниях гетеролазеров на основе Ga_1–xAl_xAs–GaAs
   
   Квантовая электроника, 8:6 (1981),  1334–1336
6. Индуцированное излучение кристаллов иттрий-алюминиевого граната с неодимом при накачке инжекционными лазерами
   
   Квантовая электроника, 2:5 (1975),  1050–1054
7. Инжекционный лазер со средней мощностью излучения 200 мВт
   
   Квантовая электроника, 1:1 (1974),  163–164
8. Некоторые свойства деградации гетеролазеров
   
   Квантовая электроника, 1972, № 3(9),  108–110
9. Внутренние параметры инжекционных лазеров при 300°K
   
   Квантовая электроника, 1971, № 5,  99–101
10. Зависимость порога генерации инжекционных лазеров от длительности импульсов тока накачки
    
    Квантовая электроника, 1971, № 5,  97–99