Гореленок А Т

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

1. Диоды Ганна на основе гетероструктуры $n$-InGaAs$/n^{+}$-InP
   
   Физика и техника полупроводников, 26:4 (1992),  611–613
2. Диффузия Zn в InP и твердые растворы на его основе из полимерных пленочных диффузантов
   
   Письма в ЖТФ, 18:13 (1992),  35–38
3. In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/In$_{0.88}$Ga$_{0.12}$As$_{0.23}$P$_{0.77}$-гетероструктуры с двумерным электронным газом
   
   Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991),  908–912
4. Диагностика гетерограниц InGaAsP/InP по оже-профилям косого шлифа, полученного химическим травлением
   
   ЖТФ, 60:10 (1990),  177–180
5. Исследование влияния химической обработки InP на скорость поверхностной рекомбинации методом комбинационного рассеяния света
   
   Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990),  2177–2180
6. Исследование кинетики фотопроводимости в коротких фоторезисторах на основе InP : Fe
   
   Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990),  2167–2171
7. Измерение ВАХ InGaAs при помощи пикосекундной электрооптической стробирующей установки
   
   Физика и техника полупроводников, 24:5 (1990),  848–854
8. Двумерный электронный газ в гетероструктурах In$_{0.88}$Ga$_{0.12}$As$_{0.23}$P$_{0.77}$/In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As, выращенных жидкофазной эпитаксией
   
   Письма в ЖТФ, 16:8 (1990),  47–50
9. Край оптического поглощения и деформации эпитаксиальных слоев In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As
   
   Физика и техника полупроводников, 23:2 (1989),  201–206
10. Концентрация и подвижность электронов в InP и In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As, легированных редкоземельными элементами
    
    Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  35–43
11. Барьеры Шоттки и полевые транзисторы на основе InGaAs/InP
    
    Письма в ЖТФ, 14:19 (1988),  1807–1810
12. Фотолюминесцентные исследования захвата носителей в квантовую яму ДГС InGaAsP/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987),  1983–1988
13. Исследование времени жизни неосновных носителей в узкозонной области диодных InGaAsP/InP-структур
    
    Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987),  1498–1501
14. Магниторезистивная ЭДС квазидвумерного электронного газа в гетероструктурах In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987),  1479–1481
15. Вынос неравновесной плазмы из коротких InP : Fe-фоторезисторов электрическим полем
    
    Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  70–74
16. Измерение АЧХ быстродействующих фотоприемников с использованием гомодинной стекловолоконной схемы получения амплитудных биений оптического сигнала
    
    Письма в ЖТФ, 13:17 (1987),  1059–1062
17. Задержка и подавление токового шнура магнитным полем в квазидвумерных In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$Аs/InР-гетероструктурах
    
    Физика и техника полупроводников, 20:8 (1986),  1488–1491
18. Спиновое расщепление зоны проводимости в InP
    
    Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986),  347–350
19. Мезаполосковые InGaAsP/InP (${\lambda=1.5}$ мкм) лазеры непрерывного действия
    
    ЖТФ, 55:9 (1985),  1872–1876
20. Исследование $pin$-фотодиодов на основе InGaAsP/InP
    
    ЖТФ, 55:8 (1985),  1566–1569
21. Исследование СВЧ поглощения в гетероструктурах InGaAs/InP в режиме электрической неустойчивости
    
    Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985),  2004–2007
22. Исследование собственной фотопроводимости в эпитаксиальных слоях InP и InGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985),  1460–1463
23. Субмиллиметровая фотопроводимость эпитаксиального InP, легированного редкоземельными элементами
    
    Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985),  1394–1398
24. Исследование токов утечки планарных $p{-}n$-переходов в InP и $p{-}i{-}n$-структур на основе InGaAs/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985),  668–673
25. Наблюдение спектров фотовозбуждения мелких доноров и циклотронного резонанса свободных электронов в $In\,P$, легированном $Cd$ и $Yb$
    
    Письма в ЖТФ, 11:6 (1985),  347–351
26. Влияние технологических факторов на люминесцентные характеристики гетеролазеров InGaAsP/InP (${\lambda=1.55}$ мкм)
    
    ЖТФ, 54:10 (1984),  2047–2050
27. Обратные токи в $p{-}n$-гетероструктурах InGaAsP/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984),  2036–2040
28. Спин-орбитальное рассеяние и слабая локализация электронов в гетероструктурах InGaAs/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 18:11 (1984),  1999–2005
29. Влияние несоответствия параметров решеток на $I{-}V$-характеристики InGaAsP/InP $p{-}n$-гетероструктур
    
    Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984),  1413–1416
30. Особенности развития токовых шнуров в полупроводниках
    
    Физика и техника полупроводников, 18:8 (1984),  1383–1385
31. Особенности СВЧ шума при развитии электрической неустойчивости в квазидвумерных In$_{0.53}$Ga$_{0.47}$As/InP-гетероструктурах
    
    Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984),  1237–1241
32. Двумерный электронный газ в InGaAs/InP-гетероструктурах, полученных жидкофазной эпитаксией
    
    Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984),  1230–1232
33. Токи туннельного типа в $p{-}n$-гетероструктурах InGaAsP/InP
    
    Физика и техника полупроводников, 18:6 (1984),  1034–1038
34. Влияние редкоземельных элементов на подвижность носителей в эпитаксиальных слоях InP и InGaAs
    
    Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984),  83–85
35. Фототранзистор на основе $N{-}p{-}N$ гетероструктур InP-InGaAsP
    
    Письма в ЖТФ, 10:21 (1984),  1294–1297
36. Низкопороговые мезаполосковые JnGaAsP/JnP лазеры непрерывного действия (${\lambda\simeq 1.3}$ мкм)
    
    Письма в ЖТФ, 10:16 (1984),  961–964
37. Полосковые лазеры на основе ДГС в системе InGaAsP/InP, полученные имплантацией ионов кислорода
    
    ЖТФ, 53:10 (1983),  1973–1978
38. Низкопороговые полосковые зарощенные гетеролазеры на основе InGaAsP/InP (${\lambda\simeq1.3}$ мкм), полученные гибридной технологией
    
    ЖТФ, 53:7 (1983),  1413–1414
39. Торцевые спонтанные излучатели на основе ДГС InGaAsP (${\lambda\approx1.3}$ мкм) с ${\eta_{e}\approx6}$% при 300 K
    
    ЖТФ, 53:7 (1983),  1408–1411
40. Эффекты легирования редкоземельными элементами в низкотемпературной краевой люминесценции InP
    
    Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983),  2148–2151
41. Сравнение краев поглощения в бинарных и многокомпонентных прямозонных соединениях A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ на основе системы InGaAsP
    
    Физика и техника полупроводников, 17:8 (1983),  1402–1405
42. Особенности поляризации люминесценции и константы деформационного потенциала в InP $n$- и $p$-типа проводимости
    
    Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983),  997–1002
43. Высокоэффективный фотодетектор для ультрафиолетового излучения
    
    Письма в ЖТФ, 9:24 (1983),  1516–1519
44. Многоканальная дуплексная волоконно-оптическая линия связи на длине волны ~ 1,3 мкм
    
    Квантовая электроника, 9:8 (1982),  1698–1700
45. Макет волоконно-оптической линии связи со спектральным уплотнением в области 1,3 мкм
    
    Квантовая электроника, 6:11 (1979),  2487–2490
46. Волоконно-оптическая линия передачи сигналов для систем дальней связи на длине волны 1,3 мкм
    
    Квантовая электроника, 5:11 (1978),  2486–2488