RUS  ENG
Полная версия
ПЕРСОНАЛИИ

Радауцан Сергей Иванович

Публикации в базе данных Math-Net.Ru

  1. Коэффициенты самодиффузии серы в монокристаллах In$_{2}$S$_{3}$, CdIn$_{2}$S$_{4}$ и AgIn$_{5}$S$_{8}$

    Физика твердого тела, 34:6 (1992),  1959–1960
  2. Изовалентное легирование фосфида индия галлием и мышьяком в процессе жидкофазной эпитаксии

    Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992),  1737–1741
  3. Спектры комбинационного рассеяния света монокристаллов ZnAl$_{2(1-x)}$Ga$_{2x}$S$_{4}$

    Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991),  2038–2039
  4. Спектры КРС соединения $\mathrm{CdIn}_2\mathrm{S}_4$ с различным упорядочением катионной подрешетки

    Докл. АН СССР, 315:6 (1990),  1365–1367
  5. Изменения ближнего порядка в поверхностных слоях $\mathrm{Hg}_x\mathrm{Cd}_{1-x}\mathrm{Te}$ при имплантации ионов $\mathrm{He}^{2+}$

    Докл. АН СССР, 313:2 (1990),  330–333
  6. Процессы долговременного упорядочения в кристаллах с частично обращенной шпинельной структурой

    Докл. АН СССР, 311:4 (1990),  874–877
  7. Влияние нарушения стехиометрии состава дифосфида цинка на спектры свободного экситона

    Докл. АН СССР, 311:4 (1990),  866–869
  8. Зарядовые состояния примесных атомов олова и их влияние на электропроводность In$_{2}$S$_{3}$

    Физика твердого тела, 32:10 (1990),  3157–3159
  9. Влияние облучения быстрыми электронами на краевую фотолюминесценцию эпитаксиальных слоев в $n$-InP

    Физика и техника полупроводников, 24:11 (1990),  2034–2036
  10. Колебательные спектры кристаллической решетки политипов соединений Zn$_{m}$In$_{2}$S$_{3+m}$

    Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990),  1592–1597
  11. Кристаллическая структура шестипакетного политипа $\mathrm{ZnIn}_2\mathrm{S}_4\mathrm{(VI)_a}$

    Докл. АН СССР, 306:3 (1989),  617–619
  12. Влияние тетрагонального сжатия решетки на излучательные свойства соединений $\mathrm{A}^\mathrm{II}\mathrm{B}_2^\mathrm{III}\mathrm{C}_4^\mathrm{VI}$

    Докл. АН СССР, 305:2 (1989),  347–350
  13. Зарядовые состояния ионов хрома в халькогенидных шпинельных полупроводниках

    Физика твердого тела, 31:11 (1989),  285–287
  14. Высокочувствительный фотодетектор на основе InP$-$SiO$_{2}{-}$InAs

    ЖТФ, 59:11 (1989),  195–199
  15. Краевая фотолюминесценция кристаллов $n$-InP, облученных электронами с энергией ${3.5\div4}$ МэВ

    Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989),  1581–1583
  16. Стационарная и разрешенная во времени фотолюминесценция монокристаллов фосфида кадмия

    Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989),  58–63
  17. Полевые транзисторы с барьером Шоттки на гетероструктурах InGaAs/InP

    Письма в ЖТФ, 15:18 (1989),  30–34
  18. Комбинационное рассеяние света в монокристаллах CdIn$_{2}$S$_{4}$ и фононные моды в некоторых полупроводниках A$^{\text{II}}$B$^{\text{III}}_{2}$C$^{\text{VI}}_{4}$ со структурой шпинели

    Физика твердого тела, 30:2 (1988),  457–461
  19. Рентгеноспектральное исследование строения энергетических полос $\mathrm{CdCr}_2\mathrm{S}_4$

    Докл. АН СССР, 294:5 (1987),  1102–1105
  20. Анизотропия отрицательного магнитосопротивления $p$-CdSb

    Физика твердого тела, 29:8 (1987),  2516–2518
  21. Однородное и неоднородное уширение линии ферромагнитного резонанса, обусловленное проводимостью

    Физика твердого тела, 29:4 (1987),  1279–1282
  22. Оптическая анизотропия линий обратной водородоподобной серии в дифосфиде цинка

    Докл. АН СССР, 288:3 (1986),  615–617
  23. Оптическая анизотропия линий экситонных серий в дифосфиде цинка

    Докл. АН СССР, 286:2 (1986),  345–347
  24. Анализ отрицательного магнитосопротивления антимонида кадмия на основе теории квантовых поправок к проводимости

    Физика твердого тела, 28:8 (1986),  2386–2390
  25. Оптические свойства HgGa$_{2}$Se$_{4}$ вблизи края собственного поглощения

    Физика твердого тела, 28:4 (1986),  1179–1180
  26. Исправление к статье «Влияние отжига и имплантации ионов селена на спектры фотопроводимости и люминесценции HgGa$_{2}$Se$_{4}$»

    Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986),  2131
  27. Влияние отжига и имплантации ионов селена на спектры фотопроводимости и люминесценции HgGa$_{2}$Se$_{4}$

    Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986),  1116–1118
  28. Ферромагнитный резонанс в сильно проводящих кристаллах HgCr$_{2}$Se$_{4}$

    Физика твердого тела, 27:8 (1985),  2424–2427
  29. Влияние отжига на ферромагнитный резонанс в HgCr$_{2}$Se$_{4}$

    Физика твердого тела, 27:1 (1985),  229–230
  30. Спектры фотопроводимости монокристаллов фосфида кадмия

    Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1127–1128
  31. Скопления электрически активных примесей в монокристаллах фосфида индия

    Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985),  810–813
  32. Широкозонные полупроводники A$^{\text{II}}$B$^{\text{III}}_{2}$C$^{\text{VI}}_{4}$: оптические и фотоэлектрические свойства и перспективы применения (Обзор)

    Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985),  193–212
  33. Отрицательное дифференциальное сопротивление и эффект переключения в магнитном полупроводнике $\mathrm{CdCr}_2\mathrm{S}_4$

    Докл. АН СССР, 276:5 (1984),  1110–1113
  34. Рекомбинационное излучение в монокристаллах CdIn$_{2}$S$_{4}$ : Cr

    Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984),  1707–1709
  35. Кинетика люминесценции монокристаллов CdIn$_{2}$S$_{4}$

    Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984),  534–536
  36. Лазерная генерация в слоях In$_{0.53}$Gd$_{0.47}$As/InP (${\lambda=1.53}$ мкм) при оптической накачке

    Письма в ЖТФ, 10:18 (1984),  1099–1102
  37. Комбинационное рассеяние света и симметрия колебательных мод в кристаллах $\mathrm{CdSb}$

    Докл. АН СССР, 272:5 (1983),  1125–1128
  38. Статические вольт-амперные характеристики CdCr$_{2}$Se$_{4}\langle$In$\rangle$

    Физика твердого тела, 25:9 (1983),  2778–2780
  39. Зависимость ширины запрещенной зоны Cd$_{3-x}$Zn$_{x}$As$_{2}$ от состава

    Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983),  1202–1204
  40. Фотопроводимость легированных монокристаллов ZnIn$_{2}$S$_{4}$ после переключения

    Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983),  1133–1135
  41. Подвижность электронов в $n$-Cd$_{3-x}$Zn$_{x}$As$_{2}$

    Физика и техника полупроводников, 17:5 (1983),  885–888
  42. Глубокие центры в не легированных и легированных железом монокристаллах фосфида индия

    Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983),  593–598
  43. Осцилляции Шубникова–де Гааза в $n$-$\mathrm{CdSb}$

    Докл. АН СССР, 263:5 (1982),  1112–1115
  44. Осцилляция Шубникова–де Гааза в $p$-$\mathrm{CdSb}$

    Докл. АН СССР, 263:1 (1982),  71–73
  45. Тонкая структура линий поглощения в кристаллах $\mathrm{ZnP}_2$ моноклинной модификации

    Докл. АН СССР, 262:5 (1982),  1138–1142
  46. Лазерное излучение в твердых растворах Cd3(AsxP1–x)2

    Квантовая электроника, 9:9 (1982),  1926–1928
  47. Гальваномагнитные свойства тройных фаз системы $\mathrm{ZnS}$–$\mathrm{In}_2\mathrm{S}_3$

    Докл. АН СССР, 254:3 (1980),  608–611
  48. Строение и свойства монокристаллов $\mathrm{SnMo}_6\mathrm{S}_8$

    Докл. АН СССР, 242:1 (1978),  87–89
  49. Влияние донорных примесей на электрические свойства монокристаллов $\mathrm{CdCr}_2\mathrm{S}_4$

    Докл. АН СССР, 239:1 (1978),  77–79
  50. Переход порядок – беспорядок в твердых растворах $\mathrm{CdGa}_2\mathrm{Se}_4$ – $\mathrm{CdIn}_2\mathrm{Se}_4$

    Докл. АН СССР, 237:4 (1977),  821–823
  51. Фотоэлектрические свойства гетеропереходов $\mathrm{ZnP}_2(D_4^8)-\mathrm{ZnP}_2(C^5_{2h})$

    Докл. АН СССР, 236:1 (1977),  72–74
  52. Рентгеноспектральное исследование электронной структуры $\mathrm{Cd}_3\mathrm{P}_2$

    Докл. АН СССР, 234:3 (1977),  575–577
  53. Анализ спектров фотолюминесценции $\mathrm{CdIn}_2\mathrm{S}_4$ методом моментов

    Докл. АН СССР, 227:5 (1976),  1082–1085
  54. Модулированные по длине волны спектры фотоответа барьерных диодов $\mathrm{Au}$ – $\mathrm{Zn}_3\mathrm{P}_2$

    Докл. АН СССР, 227:4 (1976),  830–832
  55. Исследование влияния структурных изменений на свойства полупроводниковых стекол системы германий – фосфор – селен

    Докл. АН СССР, 226:2 (1976),  308–310
  56. Эффект просветления кристаллов ZnTe : Li в зеленой области спектра при лазерном возбуждении

    Квантовая электроника, 3:11 (1976),  2465–2467
  57. Осцилляции Шубникова–де Гааза в арсениде кадмия

    Докл. АН СССР, 222:5 (1975),  1077–1078
  58. Исследование сложных полупроводниковых материалов в Молдавской ССР

    УФН, 113:2 (1974),  337–340

© МИАН, 2024